在全球人工智能浪潮的兴起和向绿色能源加速转型的背景下，氮化镓（GaN）行业正进入关键的黄金增长期。根据TrendForce的研究，全球氮化镓功率器件市场预计将以44%的年复合年增长率（CAGR）增长，从2024年的3.9亿美元增长到2030年的35.1亿美元。
>>详情韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已正式推出，并将与国内外主要客户启动全面的产品开发，目标是在年内实现量产。
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2026 年1月12日，中国领先的碳化硅（SiC）功率器件及芯片方案商 — 上海瞻芯电子科技股份有限公司 (简称 "瞻芯电子") 正式获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）颁发的实验室认可证书（注册号：CNAS L24974）。这一认可标志着瞻芯电子测试实验室在 SiC 器件的研发测试能力、硬件设备及质量管理体系等方面，符合 ISO/IEC 17025 国际实验室认可标准；作为我国权威的实验室认可机构，CNAS 已与国际实验室认可合作组织（ILAC）、亚太实验室认可合作组织（APLAC）签署多边互认协议，因此实验室出具的检测报告将具备国际互认性与公信力。
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近日有网传消息称，董明珠在接待广汽集团董事长冯兴亚一行时笑言，未来广汽的汽车芯片中一半由格力产品替代。 对此，广汽集团发布辟谣声明称，相关网传表述并非事实。
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2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。
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SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的 200mm（8 英寸）产品，300mm（12 英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升 —— 较 6 英寸晶片提升至 4.4 倍，较 8 英寸晶片提升至 2.3 倍。
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安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries, GF）达成全新合作协议，进一步巩固其在智能电源产品领域的领导地位，双方将共同研发并制造下一代氮化镓（GaN）功率器件，合作将从650V器件开始。
>>详情随着人工智能技术的迅猛发展，AR眼镜作为AI端侧落地的核心载体，正逐步成为科技产业的焦点领域。在AI与AR深度融合的趋势下，传统玻璃、树脂等镜片基底材料在光波导方案中显现明显局限，难以满足AR及AI眼镜对更广视场角、更轻机身、更长续航的核心需求，这一瓶颈既制约了产品性能升级，也影响了用户体验的优化。
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随着人工智能技术的迅猛发展，AR眼镜作为AI端侧落地的核心载体，正逐步成为科技产业的焦点领域。在AI与AR深度融合的趋势下，传统玻璃、树脂等镜片基底材料在光波导方案中显现明显局限，难以满足AR及AI眼镜对更广视场角、更轻机身、更长续航的核心需求，这一瓶颈既制约了产品性能升级，也影响了用户体验的优化。
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12月8日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）发布自愿公告，宣布其采用650V氮化镓（GaN）的新一代6.6kW车载充电机（OBC）系统在长安汽车顺利装车，该系统凭借业内领先的充电效率和整机功率密度，为车载电源技术树立了新标杆。
>>详情安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。
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当地时间2025年12月2日，功率半导体及图像传感器大厂安森美与国产氮化镓（GaN）大厂英诺赛科（Innoscience）宣布双方签署了一份谅解备忘录（MoU），以评估加速40-200V氮化镓功率器件部署的机会，并显著扩大客户采纳度。备忘录中提出的合作，将安森美在集成系统与封装领域的领导力与英诺赛科成熟的GaN技术及大规模制造相结合，实现为工业、汽车、电信基础设施、消费级及AI数据中心市场交付具有成本效益且高效的GaN产品。
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创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司（纽约证券交易所代码：WOLF）今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达成合作。两家公司通过将 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模块集成到禾望电气先进的高度模块化、轻量化的 950 Vac 风电变流器之中，共同推动下一代风电解决方案的开发。
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当地时间11月10日消息，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）今宣布，它已与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术签订了技术许可协议。这一战略举措将加速格芯在数据中心、工业和汽车电源应用中的下一代氮化镓产品，并为全球客户群提供美国的氮化镓产能。
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