全球电子设计与制造服务领导厂商USI环旭电子今日宣布，其于新世代功率解决方案领域所开发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。凭借卓越的基板与模块整合能力，环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。
>>详情近日，三安光电旗下湖南三安历经三年专项攻坚，成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破，成为全球少数掌握该项核心技术的企业，标志着三安光电在核心半导体材料领域的技术实力持续夯实，为AI服务器电源、新能源汽车等高端应用领域提供关键支撑。
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近日，三安光电旗下湖南三安历经三年专项攻坚，成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破，成为全球少数掌握该项核心技术的企业，标志着三安光电在核心半导体材料领域的技术实力持续夯实，为AI服务器电源、新能源汽车等高端应用领域提供关键支撑。
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5月21日，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司（以下简称“浙江晶瑞”，英文名“SuperSiC”）宣布，公司年产60万片8英寸碳化硅（SiC）衬底项目正在加速投产，并已启动新一期基础设施建设，以迎接AI、AR等新兴产业对碳化硅材料的爆发式需求。
>>详情2026年5月11日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化镓与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。本次活动聚焦英飞凌CoolGaN™ 车规级氮化镓与AURIX™ TC4x多核MCU的整合应用，结合原厂观点与实际量产案例，帮助客户把握下一代车载OBC的主流架构与市场机会。研讨会期间，英飞凌工程师针对线上观众的提问进行了专业解答。
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4 月 28 日，上海市委副书记、市长龚正出席第三批上海市创新型企业总部授牌仪式，向包括上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）在内的44家创新型企业总部授牌。瞻芯电子副总经理黄海涛代表公司领取荣誉牌匾。
>>详情随着AI算力需求爆发，数据中心电源正经历从硅到碳化硅的代际切换。在这场能效竞赛中，三安光电旗下湖南基地生产的碳化硅器件已批量应用于维谛技术的电源系统，悄然成为支撑全球AI基础设施的"隐形心脏"。
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据报道，三星电子已启动公开招标，清理韩国（37台）和中国西安（86台）半导体工厂共123台闲置旧设备，以精简NAND Flash业务流程，加速向200层以上NAND Flash转型。此次出售的设备以90-65纳米成熟制程设备为主，含部分8英寸晶圆设备，涵盖存储晶圆制造全流程通用设备，包括金属薄膜成型、沉积、蚀刻等核心工具，而非特定工艺专用设备。
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据韩国媒体The Elec报道，三星的首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段，初期收入预计将保持在1000亿韩元以下。
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在全球人工智能浪潮的兴起和向绿色能源加速转型的背景下，氮化镓（GaN）行业正进入关键的黄金增长期。根据TrendForce的研究，全球氮化镓功率器件市场预计将以44%的年复合年增长率（CAGR）增长，从2024年的3.9亿美元增长到2030年的35.1亿美元。
>>详情韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已正式推出，并将与国内外主要客户启动全面的产品开发，目标是在年内实现量产。
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2026 年1月12日，中国领先的碳化硅（SiC）功率器件及芯片方案商 — 上海瞻芯电子科技股份有限公司 (简称 "瞻芯电子") 正式获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）颁发的实验室认可证书（注册号：CNAS L24974）。这一认可标志着瞻芯电子测试实验室在 SiC 器件的研发测试能力、硬件设备及质量管理体系等方面，符合 ISO/IEC 17025 国际实验室认可标准；作为我国权威的实验室认可机构，CNAS 已与国际实验室认可合作组织（ILAC）、亚太实验室认可合作组织（APLAC）签署多边互认协议，因此实验室出具的检测报告将具备国际互认性与公信力。
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近日有网传消息称，董明珠在接待广汽集团董事长冯兴亚一行时笑言，未来广汽的汽车芯片中一半由格力产品替代。 对此，广汽集团发布辟谣声明称，相关网传表述并非事实。
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