QPT有限公司是一家专注于提高电气效率的清洁技术公司，它是第一家创造出所需技术的公司，使GaN在大功率、高电压、使用硬开关的应用（如HVAC和机器人的电机驱动系统）中的工作频率远远超过100kHz直至20MHz的电流限制。这项颠覆性的技术开辟了GaN市场的这一重要部分，而目前没有人有解决方案来解决这个问题。
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日前，瑞萨在2023年投资者日上，公布了多项未来产品蓝图，其中包括推出单芯片毫米波雷达方案，以及进入碳化硅市场等特别针对汽车电动化和智能化的重要投资。
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德州仪器 (TI)今日推出一款高集成度的功能安全合规型隔离式栅极驱动器，助力工程师设计更高效的牵引逆变器，并更大限度地延长电动汽车 (EV) 行驶里程。全新 UCC5880-Q1 增强型隔离式栅极驱动器提供的功能可使电动汽车动力总成工程师能够在提高功率密度、降低系统设计复杂性和成本的同时实现其安全和性能目标。
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安森美宣布双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。未来 10 年，安森美每年都将为 SiC3 中心提供 80 万美元的资金。
>>详情高可靠性、高性能氮化镓 (GaN) 功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm，日前宣布其董事会已任命 Primit Parikh 博士为公司总裁兼首席执行官，并担任董事会成员。董事会还任命 Umesh Mishra 博士担任董事会主席。 这两项任命均于 2023 年 5 月 15 日生效。
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英飞凌科技股份公司和 Schweizer Electronic宣布携手合作，通过创新进一步提升碳化硅（SiC）芯片的效率。双方正在开发一款新的解决方案，旨在将英飞凌的 1200 V CoolSiC™ 芯片直接嵌入 PCB 板，以显著提高电动汽车的续航里程，并降低系统总成本。
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英飞凌科技股份公司正推动其碳化硅（SiC）供应商体系多元化，并与中国碳化硅供应商北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）签订了一份长期协议，以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科合达将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体产品的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。
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智能电源和智能感知技术的领导者安森美和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。
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意法半导体宣布与采埃孚科技集团公司(ZF)签署碳化硅器件长期供应协议。从 2025 年起，采埃孚将从意法半导体采购碳化硅器件。根据这份长期采购合同条款，意法半导体将为采埃孚供应超过1,000万个碳化硅器件。采埃孚计划将这些器件集成到 2025 年量产的新型模块化逆变器架构中，利用意法半导体在欧洲和亚洲的碳化硅垂直整合生产线确保完成电驱动客户订单。
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随着氮化镓半导体器件技术的不断进步，氮化镓反激式开关IC在未来几年中市场需求将会持续增长。这主要得益于其具有更高的功率密度、更高的效率和更小的体积优势。而在汽车和工业领域，对氮化镓产品的认同度也在不断增加。同时，随着制造技术的进一步成熟，在成本和可靠性上也得到了大大改善，得到了越来越多设计工程师的青睐。
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“我宣布，飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线正式投产。”3月22日，市长张壮在广西飓芯科技投产仪式上宣布。这意味着，国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线在柳州市北部生态新区正式投产，实现了该类芯片的进口替代和自主可控。
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欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示，英飞凌特别看好氮化镓（GaN）芯片。该公司预测，到2027年，氮化镓芯片市场将以每年56%的速度增长。
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