AMP， 电动汽车充电，Wolfspeed E－系列， 碳化硅器件
2022-11-14 16:10:07全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.于近日宣布，电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。
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安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）将在德国慕尼黑电子展(以下简称“electronica”)展示并演示其最新创新。Electronica是全球领先的电子展，观众莅临安森美在C4馆的101号展位，将看到涵盖汽车、工业和云电源市场的尖端前沿演示，包括电动汽车、先进安全、工厂自动化、能源基础设施和电动汽车充电等方面的应用，其中许多应用都是基于碳化硅（以下简称“SiC”）。
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移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。
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美国北卡罗来纳州达勒姆、英国华威郡盖顿与中国上海市讯 -- 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，与捷豹路虎达成战略合作，为其下一代电动汽车提供碳化硅（SiC）半导体，并带来更高的动力总成效率和续航里程。
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Qorvo，电源管理，碳化硅(SiC)功率器件，氮化镓(GaN)
2022-11-02 14:54:51移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日推出新视频，重点展示该公司的市场扩张成就，以及通过打造创新解决方案，助力实现地球万物连接，提供可持续发展保护和源源不断的动力的承诺。
>>详情宏光半导体有限公司（「宏光半导体」，连同其附属公司统称「集团」；股份代号：6908.HK）欣然宣布，集团近期已开始生产其自家6英寸氮化镓（「GaN」）功率器件外延片（「外延片」）。远早于预期时间表成功制造外延片为集团快速产业化及量产第三代半导体铺路，乃其转型成为第三代半导体GaN 供货商的重要成果，标志着集团迈向第三代半导体GaN商业化的里程碑。
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意法半导体将于意大利兴建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）衬底制造厂，以支持意法半导体客户对汽车及工业碳化硅组件与日俱增的需求，协助其向电气化迈进并达到更高效率。新厂预计2023年开始投产，以实现碳化硅衬底的供应在对内采购及行业供货间达到平衡。
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安森美电源方案部执行副总裁兼总经理Simon Keeton说：“连同我们在美国新罕布什尔州哈德逊的SiC晶锭的扩产，这些增加的SiC制造能力使安森美能为客户提供关键的供应保证，以满足市场对基于SiC的方案快速增长的需求。我们对SiC制造供应链的全面把控，以及我们产品领先市场的能效，凸显了安森美在SiC的领先地位更进一步。”
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英飞凌科技股份公司与高意集团 签署了一份多年期碳化硅（SiC）晶圆供应协议。这家总部位于德国的半导体制造商以此进一步拓宽碳化硅这一战略性半导体材料的供应渠道，并满足该领域强劲增长的客户需求。该协议还将支持英飞凌的多源采购战略并提高公司的供应链弹性。目前首批货物已经交付。
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全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，将投入数十亿美元在北卡罗来纳州查塔姆县（Chatham County）建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅（SiC）材料制造工厂。这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍，支持公司长期增长战略，加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用，开启能源效率新时代。
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目前，全球推进“双碳”目标，缓解日益严重的温室效应的过程将带来更多清洁能源发电、新能源汽车、充电桩和储能等全新的需求。显而易见，功率半导体会成为绿色能源和高效负载能源网络的关键驱动力。根据 Yole 预测，全球功率半导体器件市场将有望从 2020 年的175 亿美元增长至 2026 年 的 262 亿美元，年均复合增长率为 6.9%。
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助力低碳出行，用芯驱动未来。9月2日，湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。为提升汽车供应链韧性，加强汽车产业生态建设，了解多方需求强化产业合力，本次峰会以"聚焦芯动力，构建新生态"为主题，邀请来自行业协会、整车与零部件企业等产业上下游的超百位领导、嘉宾出席了会议，从政策、市场、技术创新和生产制造以及应用等多方面深入探讨了电驱动技术相关话题，共同促进新能源汽车行业和电
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Transphorm的标准横向氮化镓场效应管(FET)器件本身即可提供双向电流。然而，某些应用（如电机驱动的电流源逆变器、变频器和矩阵转换器）还需要双向电压控制，以有效管理电力系统的功率流。这种功能的传统实现方法是放置两个串联的FET，使用器件的主体二极管来引导和控制电流流动，或需要两个绝缘栅双极晶体管(IGBT)和两个二极管，因此需要四个器件。
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理想汽车功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，这标志着理想汽车正式启动下一代高压电驱动技术的自主产业链布局。
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