5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10+趋势性纵深应用智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。
>>详情目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。
>>详情Power Integrations，Odyssey Semiconductor资产，高功率氮化镓技术
2024-05-08 10:33:17深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies（OTCQB场外交易代码：ODII）的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。
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随着人工智能技术的飞速发展，越来越多的企业开始探索如何将人工智能技术融入业务流程中，以提升质量、降本增效。在高精尖制造业领域，人工智能、自动驾驶等新兴产业对碳化硅材料的需求日益增多，大力发展碳化硅产业，可带动原材料与设备2000亿级产业，加快我国向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。
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智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。
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全球电源供应器制造商及电力电子行业领导者群光电能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下简称群电） 宣布其年度合作伙伴奖项得主，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）脱颖而出，荣获2023年度“氮化镓战略合作伙伴奖”。
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全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.今日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于 Transphorm SuperGaN® 平台的系统级封装氮化镓产品系列。
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作为电力和物联网系统的主要供应商，英飞凌正在推动脱碳和数字化经济的发展。 GaN（GaN）对于实现这些目标至关重要，并带来了诸多好处，包括更高的能源效率和功率密度。
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基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。
>>详情因此，电力电子领域的大多数主要厂商都推出了氮化镓 (GaN) 功率 FET，这些器件利用了GaN独特的特性——减少栅极电荷 (Qg)、输出电容 (COSS) 和反向恢复损耗——从而实现更快地切换并节省更多电量。
>>详情日前，在Mouser和PI的深度采访中，PI （Power Integrations）营销副总裁 Doug Bailey 阐述了 GaN（氮化镓）技术及其为功率转换行业带来的新可能性。
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半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体，计划于2024年第二季度投入市场。
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英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
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英飞凌科技股份公司宣布与Worksport Ltd.（Nasdaq代码：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。
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