作为电力和物联网系统的主要供应商，英飞凌正在推动脱碳和数字化经济的发展。 GaN（GaN）对于实现这些目标至关重要，并带来了诸多好处，包括更高的能源效率和功率密度。
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基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。
>>详情因此，电力电子领域的大多数主要厂商都推出了氮化镓 (GaN) 功率 FET，这些器件利用了GaN独特的特性——减少栅极电荷 (Qg)、输出电容 (COSS) 和反向恢复损耗——从而实现更快地切换并节省更多电量。
>>详情日前，在Mouser和PI的深度采访中，PI （Power Integrations）营销副总裁 Doug Bailey 阐述了 GaN（氮化镓）技术及其为功率转换行业带来的新可能性。
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半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计经验和理念与中国本土化生产配套能力优势联合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体，计划于2024年第二季度投入市场。
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英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
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英飞凌科技股份公司宣布与Worksport Ltd.（Nasdaq代码：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。
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英飞凌，Wolfspeed，150mm 碳化硅晶圆，供应协议
2024-01-26 16:15:13全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与全球碳化硅技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
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山东粤海金与山东有研半导体正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》，该协议旨在充分发挥双方各自优势，创新业务合作模式，共同拓展碳化硅衬底片市场与客户。
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英飞凌与美国半导体制造商Wolfspeed发布声明，宣布扩大并延长双方2018年2月签署的现有150mm碳化硅晶圆长期供应协议。
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据悉，天科合达碳化硅晶片二期项目由江苏天科合达半导体有限公司投资建设，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套的多线切割机，外圆及平面磨床，双磨研磨机等主要生产设备以及配套动力辅助设备合计647台（套），核心生产区洁净度达到百级，预计2024年6月竣工，全部达产后年产碳化硅衬底16万片。
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全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）与适配器USB-C PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.（伟诠电子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD电源适配器参考设计。该参考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装（SiP）SuperGaN®电源控制芯片WT7162RHUG24A，在准谐振反激式（QRF）拓扑中可实现92.2%的效率。
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又到了一年一度的盘点时刻，本文盘点汽车领域。安森美 (onsemi) 持续引领潮流，为汽车功能电子化和高级安全应用提供创新的电源和感知方案。我们全面的车规级方案，不仅满足各种 OEM 汽车平台的需求，还具有可扩展性。安森美方案提供客户所需的灵活性和定制化服务，帮助客户解决复杂的挑战，引领创造一个更安全、更清洁、更智能的世界。
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