全球推进低碳化的举措拉动了对功率半导体的市场需求。顺应这一趋势，英飞凌科技股份公司宣布，其位于马来西亚的新晶圆厂一期项目正式启动运营，建设完成后该工厂将成为全球最大且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。马来西亚总理拿督斯里安瓦尔·易卜拉欣、吉打州州务大臣拿督斯里莫哈末·沙努西与英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。
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全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
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安森美，碳化硅技术平台， EliteSiC M3e MOSFET，电气化转型
2024-07-19 11:06:47面对不断升级的气候危机和急剧增长的全球能源需求，世界各地的政府和企业都在为宏大的气候目标而携手努力，致力于减轻环境影响，实现可持续未来。其中的关键在于推进电气化转型以减少碳排放，并积极利用可再生能源。为加速达成这个全球转型目标，安森美（纳斯达克股票代号：ON）推出了最新一代碳化硅技术平台 EliteSiC M3e MOSFET，并计划将在 2030 年前推出多代新产品。
>>详情SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。然而离子注入后，碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。
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长期以来，宽禁带行业一直围绕两种不同架构氮化镓晶体管争论高下——常闭耗尽型 （D-mode）和增强型（E-mode）氮化镓。在设计电路时，人们倾向于使用增强型（E-mode）晶体管，但其实无论从性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面，常闭型（D-mode）都更优于前者。
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新一代半导体晶体技术及应用大会在济南开幕。开幕式上，山东大学与济南市校地合作成果2023年首批省级数字产业重点项目“中晶芯源”项目举行投产启动仪式。
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电气化、可再生能源和人工智能是全球大势所趋，激发了市场对可优化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求，安森美采取了战略举措，宣布将在捷克共和国建造先进的垂直整合碳化硅 (SiC) 制造工厂。该工厂将生产智能电源半导体，有助于提高电动汽车、可再生能源和人工智能 (AI) 数据中心应用的能效。
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作为意法半导体全球碳化硅生态圈的中心，该碳化硅产业园将整合制造流程中的所有工序，包括碳化硅晶片衬底开发、外延生长工艺、8英寸晶圆制造及模块封装、工艺研发、产品设计，以及先进的裸片、电源系统、模块研发实验室和封装测试。该项目将成为欧洲首个一站式量产8英寸碳化硅的综合制造基地，整合碳化硅生产的每道工序（衬底、外延、晶圆加工和芯片封测）。为提高芯片良率和性能，该项目将采用8英寸晶圆制造技术。
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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。
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Transphorm， SuperGaN， PCIM 2024
2024-05-22 09:00:06全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，将在2024德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会（PCIM 2024）上展示其超越竞争对手的宽带隙技术。例如，与碳化硅相比，Transphorm的常闭耗尽型SuperGaN®平台具有更高的电子迁移率，从而降低了交叉损耗，为各种电动车、数据中心/人工智能、基础设施、可再生能源和其他广泛的工业应用提供了更具成本效益、性能更高的解决方案。
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5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10+趋势性纵深应用智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，)，将于5月至6月举办面向新能源和电动汽车应用领域的技术经理、工程师和渠道合作伙伴的2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅(SiC) 和功率解决方案5城巡回研讨会。
>>详情目前，江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目机电安装工作已进入后期收尾阶段。相关负责人称，后续重要工作将是吊顶完成，各系统的追位、调试，以及生产辅助用房建设和地面硬化等，力保6月前完成调试，6月3日顺利竣工交付。
>>详情Power Integrations，Odyssey Semiconductor资产，高功率氮化镓技术
2024-05-08 10:33:17深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies（OTCQB场外交易代码：ODII）的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。
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