一直以来，硅是半导体行业的主要材料，从微处理器到分立功率器件，无处不在。随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。这时，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的诞生，让行业内看到了新的曙光。
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“为氮化镓技术树立新标杆（New Benchmark）”，一向保守的Power Integrations（PI）罕见用这么富有冲击力的标题来发表一颗新品IC——1700V额定耐压的氮化镓InnoMux2，采用公司专有的PowiGaN技术制造而成，是业界首款，也是唯一一颗1700V氮化镓开关IC。
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深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations正式发布其InnoMux™-2系列新成员--一款1700V额定耐压的氮化镓（GaN）开关IC，该产品在业内独树一帜，以其1700V的耐压能力刷新了氮化镓器件的新高度，进一步巩固了PI在高压功率半导体市场的领先地位。据了解，这款新产品不仅在性能和效率上具有优势，同时在价格方面也优于现有的碳化硅（SiC）器件。PI资深技术培训经理阎金光在发布会上对其进行了详细解读。
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Nexperia，KOSTAL，车载充电器，宽禁带功率电子器件，MOSFET器件
2024-11-06 11:10:25Nexperia今天宣布已与领先的汽车供应商KOSTAL（科世达）建立战略合作伙伴关系，旨在生产更符合汽车应用严苛要求的宽禁带(WBG)器件。根据合作条款，Nexperia将开发、制造和供应由Kostal设计和验证的宽禁带功率电子器件。此次合作初期将专注于开发用于电动汽车(EV)车载充电器(OBC)的顶部散热(TSC) QDPAK封装的碳化硅(SiC) MOSFET器件。
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针对投资者广泛关心的话题，10月29日，芯联集成举办2024年三季度报电话说明会。公司董事、总经理赵奇，财务负责人、董事会秘书王韦，芯联动力董事长袁锋出席说明会。
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继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌科技股份公司再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300㎜，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。
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德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上德州仪器现有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。
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英飞凌， AWL－Electricity， 氮化镓功率半导体， 无线功率
2024-10-21 15:15:28全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
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英飞凌，HybridPACK Drive G2 Fusion，电动汽车，电源模块
2024-10-16 09:24:53经济实惠与高性能、高效率相结合，是电动汽车走向更广阔市场的关键所在。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅（Si）和碳化硅（SiC）技术的即插即用电源模块。这一先进解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡，为逆变器的优化提供了更多选择。
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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时，意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推出更多先进的 SiC 技术创新成果，履行创新承诺。
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随着市场对高效、绿色产品的热衷，以电动汽车为代表的新一代消费火热，也使得碳化硅越来越成为市场炙手可热的卖点。而纵观安森美的近期几次路演，所有分析师都将碳化硅作为热门话题与公司领导层进行探讨。
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EPC Power， Wolfspeed， 碳化硅， 电池储能系统
2024-09-14 10:29:40几十年来，电网一直是电力生产单位和消费者之间可靠的桥梁，只需轻轻一按开关，便能畅通无阻地将电力源源不断地输送到千家万户。然而，随着太阳能和风能等可再生能源发电需求的不断增长，现有电网唯有成功应对新的挑战（包括整合储能系统），才能确保在用电高峰期电力供应充足。
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英飞凌科技股份公司今天宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于 200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了 2.3 倍，效率也显著提高。
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