碳化硅（SiC）晶体管 功率转换器 CoolSiC MOSFET技术
功率转换器中越来越多地使用碳化硅（SiC）晶体管，这对尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以设计快速开关的单极器件。因此，现在仅在低压环境（
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双向转换器正在越来越多地用于太阳能和电动汽车充电等领域，在这些应用中，能量转换、存储和恢复效率非常关键。本文讨论了碳化硅半导体在降低转换器损耗，以及再成本、重量和尺寸等方面的优势。
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双向功率转换器是可再生能源和电动汽车充电器中的关键部件。碳化硅开关能够实现先前技术无法达到的效率水平。
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目前，业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）和化学式真空镀膜（CVD）等，其中ALD属于CVD的一种，属于当下最先进的薄膜沉积技术。那么，哪一类沉积技术适用于第三代半导体呢？
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近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起，即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。
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电池供电的便携设备越来越多，在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于高能量储存技术的发展，例如锂离子(Li-ion)电池和超级电容器。这些储能设备连接到可再生能源系统(太阳能和风能)，收集和储存能源，并稳定提供给用户，其中一些应用需要快速充电或放电。
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与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件的尺寸。
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