目前，业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）和化学式真空镀膜（CVD）等，其中ALD属于CVD的一种，属于当下最先进的薄膜沉积技术。那么，哪一类沉积技术适用于第三代半导体呢？
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近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起，即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。
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电池供电的便携设备越来越多，在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于高能量储存技术的发展，例如锂离子(Li-ion)电池和超级电容器。这些储能设备连接到可再生能源系统(太阳能和风能)，收集和储存能源，并稳定提供给用户，其中一些应用需要快速充电或放电。
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GaN 数字电源设计， 氮化镓 (GaN)， 数字电源转换器
2021-05-13 15:26:34与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件的尺寸。
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随着工业、办公设备和家庭自动化等领域的不断发展，电机及其驱动器越来越多地用于从工业机械臂控制到消费级市场的家用洗衣机等各种应用场景。人类应用电机已经有一个多世纪，但是面对未来应用场景中对运动控制更高的灵活性要求，我们需要更加“智能”的电机驱动控制以实现更好的功能和节能效果。面对工业级应用场景，电机及驱动设计需要面向小型化，轻量化以及高运行效率。同时，面对消费级市场，电机及驱动设计需要保持低成本。
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国际能源署(IEA)估计，电机功耗占世界总电力的45%以上。因此，找到最大化其运行能效的方法至关重要。能效更高的驱动装置可以更小，并且更靠近电机，从而减少长电缆带来的挑战。从整体成本和持续可靠性的角度来看，这将具有现实意义。宽禁带(WBG)半导体技术的出现将有望在实现新的电机能效和外形尺寸基准方面发挥重要作用。
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日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近的趋势，到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车，提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。
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