碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。我们调查了这些封装选项的相对热性能，并证实了TO247-4L和D2PAK-7L选项可用于6.6 kW和22 kW充电器。
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对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来优化电磁干扰和效率之间的平衡。这种方法已经采用1200V 40mOhm器件进行了双脉冲测试验证。
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几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管（LED）。一种类型是由砷化镓（GaAs）和磷砷化镓（GaAsP）组成。其他的则使用铟和磷。
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近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
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紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电 (QC) 适配器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。
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本文讨论了用于无线基础设施的射频硅基氮化镓技术的发展，该技术提高了氮化镓的性价比。经过多年的发展，该技术已经成熟，可以发挥其潜力，在硅晶圆加工的基础上以较低的成本提供与碳化硅基氮化镓相同的效率。硅基氮化镓可以满足5G无线通信系统的效率、线性化和功率密度要求。我们相信这是一个漫长旅程的开始，行业的进一步发展将把硅基氮化镓的能力推向更高的频率和更高的功率水平，有可能扩展到无线基础设施以外的应用。
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随着碳化硅(SiC)技术的发展，器件也在日趋成熟和商业化，其材料独特的耐高温性能正在加速推动结温从150℃走向175℃，有的公司称，现在已开始研发200℃结温的碳化硅器件。虽然碳化硅很耐高温，但是高温毕竟对器件的性能、故障率、寿命等都有很大的影响。带着这个问题记者采访了安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛先生。
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碳化硅 (SiC) 技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC 解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。为了实现SiC 技术的愿景，开发人员必须从产品质量、供货情况和服务支持等各个方面仔细评估多家产品和供应商，并了解如何优化不同SiC 功率组件到其最终系统的集成。
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