本文讨论了用于无线基础设施的射频硅基氮化镓技术的发展，该技术提高了氮化镓的性价比。经过多年的发展，该技术已经成熟，可以发挥其潜力，在硅晶圆加工的基础上以较低的成本提供与碳化硅基氮化镓相同的效率。硅基氮化镓可以满足5G无线通信系统的效率、线性化和功率密度要求。我们相信这是一个漫长旅程的开始，行业的进一步发展将把硅基氮化镓的能力推向更高的频率和更高的功率水平，有可能扩展到无线基础设施以外的应用。
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随着碳化硅(SiC)技术的发展，器件也在日趋成熟和商业化，其材料独特的耐高温性能正在加速推动结温从150℃走向175℃，有的公司称，现在已开始研发200℃结温的碳化硅器件。虽然碳化硅很耐高温，但是高温毕竟对器件的性能、故障率、寿命等都有很大的影响。带着这个问题记者采访了安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛先生。
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碳化硅 (SiC) 技术能在大幅提高当前电力系统效率的同时降低其尺寸、重量和成本，因此市场需求不断攀升。但是SiC 解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品，它们并非完全相同。为了实现SiC 技术的愿景，开发人员必须从产品质量、供货情况和服务支持等各个方面仔细评估多家产品和供应商，并了解如何优化不同SiC 功率组件到其最终系统的集成。
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基于碳化硅的宽禁带二极管和MOSFET具有诸多优异的特性，非常适合用于三级充电桩。其高速开关能力、紧凑的尺寸和稳健的属性使之成为设计大功率、节能和紧凑型充电桩的理想选择。
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安森美将以智能技术构建更好未来。在工业方面，集中智能电源技术实现最高能效太阳能逆变器、工业电源和储能系统，为这些应用带来持续的发展。在智能感知方面，推动工业4.0，使工厂、楼宇和家居变得更智能化。今天我们主要谈的是汽车，尤其是碳化硅为电动车带来更轻、更远的续航能力，在智能感知技术方面，安森美还有很多不同的感知技术推出，提升汽车的安全性和出行体验。吴志民总结到。
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高压IC， 击穿电压测量， 碳化硅(SiC) ， 氮化镓 (GaN) ， 功率器件
2021-12-17 15:13:58在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。
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功率转换是几乎所有电子器件中的常见元素，有多种拓扑结构。新兴的应用有其独特的要求，这就促使工程师们开发能提供具有最佳性能和效率平衡的交流转直流和直流转直流转换器。然而，这并非总是一个简单任务。
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目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓（GaN）初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power IntegraTIons，包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关（ZVS）反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入
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