随着全球能源结构的升级不断深入，宽禁带半导体器件因为其优势特性而备受行业内关注。ST在碳化硅领域投资已经超过25年，获得了全球50%以上的SiC MOSFET市场份额；并且在氮化镓领域也积极开展技术研发和资本投入，加快推进GaN战略。近日ST专门召开了宽禁带半导体线上媒体沟通会，意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG) 执行副总裁，功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli针对宽禁带半导体的技术优势、战略布局进行了精彩的分享。
>>详情
130W ACF氮化镓NB PD电源适配器， 有源箝位反激（ACF）控制器
2022-04-19 13:31:49手机、平板、笔记本等便携式电子产品的技术迭代正不断超乎人们想象，而其中最颠覆的技术之一莫过于快充技术。近几年受益于功率器件与PD快充协议的发展，大功率适配器方案迎来了快速创新时期，从最初的18W到45W再到65W，每一次功率的攀升，都使快充功能有了显著提高。
>>详情
快速充电技术无疑大幅改善了手机续航体验，但手机厂商在充电功率上的“军事竞赛”也带来对保护电路和安全措施的更高要求，只有确保电源安全，提升充电功率才有意义，而充电器主控芯片，是决定一款充电器是否安全易用的关键。
>>详情
结合适合栅极驱动器和偏执电源，GaN器件可以获得150V/ns的开关速度，极小的开关损耗和更小的高功率系统磁性尺寸。集成化的GaN解决方案可以解决很多器件级的问题，从而使用户可以专注于更广泛的系统级的考量。
>>详情
碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。我们调查了这些封装选项的相对热性能，并证实了TO247-4L和D2PAK-7L选项可用于6.6 kW和22 kW充电器。
>>详情
对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来优化电磁干扰和效率之间的平衡。这种方法已经采用1200V 40mOhm器件进行了双脉冲测试验证。
>>详情
几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管（LED）。一种类型是由砷化镓（GaAs）和磷砷化镓（GaAsP）组成。其他的则使用铟和磷。
>>详情
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
