越来越小的充电器需要更高的功率密度。工程师经常在电视和其他电器的开关电源(SMPS)中使用准谐振(QR)零电压开关(ZVS)，也称为谷底开通，该拓扑结构正出现在更多产品中。原因在于，功率密度每过十年就变得越来越高。例如，现在的电视像素更高，功耗要求也更严格。同样，虽然50W充电器并非新产品，但消费者需要外观更小巧、且能给笔记本电脑、平板电脑、手机和其他设备快速充电的产品。
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与之前的砷化镓（GaAs）和横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）一样，氮化镓（GaN）是一项革命性技术，在实现未来的射频、微波和毫米波系统方面能够发挥巨大作用。不过，它并不是一剂“灵丹妙药”，其他技术仍然可以发挥重要作用。
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随着全球能源结构的升级不断深入，宽禁带半导体器件因为其优势特性而备受行业内关注。ST在碳化硅领域投资已经超过25年，获得了全球50%以上的SiC MOSFET市场份额；并且在氮化镓领域也积极开展技术研发和资本投入，加快推进GaN战略。近日ST专门召开了宽禁带半导体线上媒体沟通会，意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG) 执行副总裁，功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli针对宽禁带半导体的技术优势、战略布局进行了精彩的分享。
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130W ACF氮化镓NB PD电源适配器， 有源箝位反激（ACF）控制器
2022-04-19 13:31:49手机、平板、笔记本等便携式电子产品的技术迭代正不断超乎人们想象，而其中最颠覆的技术之一莫过于快充技术。近几年受益于功率器件与PD快充协议的发展，大功率适配器方案迎来了快速创新时期，从最初的18W到45W再到65W，每一次功率的攀升，都使快充功能有了显著提高。
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快速充电技术无疑大幅改善了手机续航体验，但手机厂商在充电功率上的“军事竞赛”也带来对保护电路和安全措施的更高要求，只有确保电源安全，提升充电功率才有意义，而充电器主控芯片，是决定一款充电器是否安全易用的关键。
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结合适合栅极驱动器和偏执电源，GaN器件可以获得150V/ns的开关速度，极小的开关损耗和更小的高功率系统磁性尺寸。集成化的GaN解决方案可以解决很多器件级的问题，从而使用户可以专注于更广泛的系统级的考量。
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碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。我们调查了这些封装选项的相对热性能，并证实了TO247-4L和D2PAK-7L选项可用于6.6 kW和22 kW充电器。
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