在本系列文章的第一部分中，[1]我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美(onsemi)的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。
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快速直流充电市场正在蓬勃发展。伴随着电动车（EV）采用的加速，对快速充电基础设施的需求也在增加。预测未来五年的年复合增长率 (CAGR) 为20%至30%。如果您是在电力电子领域工作的一名应用、产品或设计工程师，迟早会参与到这新的充电系统的设计中。
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几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。
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提高能效一直是电源制造商的一个长期目标。这是真正的“双赢”，因为这不仅降低运行成本，而且减少了以热的形式浪费能量，意味着需要更少的散热管理，从而减小了电源的尺寸和成本。其他好处包括需要更少的冷却处理以减少风扇的噪声。
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现在介绍该模型的几个元素，如下所示。首先，我们讨论关键通道区域。这里我们使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能，我们就尽力不做重复工作。在本例中，我们尝试建模一个适合BSIM模型的MOSFET通道。该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。此外，它具有很好的速度和收敛性，广泛适用于多个仿真平台。
>>详情氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体，就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。
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越来越小的充电器需要更高的功率密度。工程师经常在电视和其他电器的开关电源(SMPS)中使用准谐振(QR)零电压开关(ZVS)，也称为谷底开通，该拓扑结构正出现在更多产品中。原因在于，功率密度每过十年就变得越来越高。例如，现在的电视像素更高，功耗要求也更严格。同样，虽然50W充电器并非新产品，但消费者需要外观更小巧、且能给笔记本电脑、平板电脑、手机和其他设备快速充电的产品。
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与之前的砷化镓（GaAs）和横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）一样，氮化镓（GaN）是一项革命性技术，在实现未来的射频、微波和毫米波系统方面能够发挥巨大作用。不过，它并不是一剂“灵丹妙药”，其他技术仍然可以发挥重要作用。
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随着全球能源结构的升级不断深入，宽禁带半导体器件因为其优势特性而备受行业内关注。ST在碳化硅领域投资已经超过25年，获得了全球50%以上的SiC MOSFET市场份额；并且在氮化镓领域也积极开展技术研发和资本投入，加快推进GaN战略。近日ST专门召开了宽禁带半导体线上媒体沟通会，意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG) 执行副总裁，功率晶体管事业部总经理Edoardo Merli针对宽禁带半导体的技术优势、战略布局进行了精彩的分享。
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130W ACF氮化镓NB PD电源适配器， 有源箝位反激（ACF）控制器
2022-04-19 13:31:49手机、平板、笔记本等便携式电子产品的技术迭代正不断超乎人们想象，而其中最颠覆的技术之一莫过于快充技术。近几年受益于功率器件与PD快充协议的发展，大功率适配器方案迎来了快速创新时期，从最初的18W到45W再到65W，每一次功率的攀升，都使快充功能有了显著提高。
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