电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统上，充电功率是单向的，但近年来，双向充电越来越受到关注。本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC中的优势。
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氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。
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瑞森半导体科技有限公司经过多年研发，推出碳化硅MOS和SBD系列产品，目前已得到市场和客户认可，广泛应用于高端服务器电源、太阳能逆变、UPS电源、电机驱动、储能、充电桩等领域。
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碳化硅(SiC)又称宽禁带半导体，相比元素半导体(比如硅)，禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、抗辐射能力强、频率高。可用于高温、高频、抗辐射及大功率器件。
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汽车电动化趋势正在不断加快。过去两年，受疫情和芯片短缺影响，全球汽车市场整体表现不佳，但新能源车却一枝独秀，延续这几年的强劲增长势头，2021年实现销量翻倍，就连原来对于纯电动汽车方向有些犹豫的德国与日本传统汽车大厂也纷纷推出自家纯电动产品，作为主力新品进行推广，电动汽车发展前景一片光明。
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随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。今天为大家介绍的是一种双向DC-DC转换器，其双向性允许电流发生器同时具备充电和放电能力。双向控制器可以为汽车双电池系统提供出色的性能和便利性，并延长其使用寿命。而且，在降压和升压模式中采用相同的电路模块，大大降低了系统的复杂性和尺寸，甚至可以获得高达97%的能源效率，并且可以控制双向传递的最大电流。
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本文将重点介绍碳化硅技术在汽车领域的应用和实现。与传统的硅基器件相比，碳化硅 （SiC）组件具有多项优势（例如高效率和低损耗），使其成为多种电源解决方案的正确解决方案。
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UnitedSiC 利用业界最佳的导通电阻 x 面积 （RDS（on） x A），在一系列功率水平和封装选项中扩展了其第4代FET 产品组合, 提供一流的品质因数（FoM）。750V 碳化硅 FET 采用 TO-247-3L和 TO-247-4L 插入式封装, 导通电阻范围为 6mOhm 至 60mOhm, 采用低电感, 表面贴装 D2PAK-7L 封装, 可提供6.7mm 的高压爬电距离。SiC FET采用先进的晶圆减薄和银烧结芯片贴装技术, 提供卓越的热性能。
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