基于碳化硅的宽禁带二极管和MOSFET具有诸多优异的特性，非常适合用于三级充电桩。其高速开关能力、紧凑的尺寸和稳健的属性使之成为设计大功率、节能和紧凑型充电桩的理想选择。
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安森美将以智能技术构建更好未来。在工业方面，集中智能电源技术实现最高能效太阳能逆变器、工业电源和储能系统，为这些应用带来持续的发展。在智能感知方面，推动工业4.0，使工厂、楼宇和家居变得更智能化。今天我们主要谈的是汽车，尤其是碳化硅为电动车带来更轻、更远的续航能力，在智能感知技术方面，安森美还有很多不同的感知技术推出，提升汽车的安全性和出行体验。吴志民总结到。
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高压IC， 击穿电压测量， 碳化硅(SiC) ， 氮化镓 (GaN) ， 功率器件
2021-12-17 15:13:58在经过多年研究和设计之后，碳化硅(SiC)和氮化镓 (GaN)功率器件正变得越来越实用。这些器件尽管性能很高，但它们也带来了许多挑战，包括栅极驱动要求。SiC要求的栅极电压(Vgs)要高得多，在负偏置电压时会关闭。GaN的阈值电压(Vth)则低得多，要求严格的栅极驱动设计。宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。
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功率转换是几乎所有电子器件中的常见元素，有多种拓扑结构。新兴的应用有其独特的要求，这就促使工程师们开发能提供具有最佳性能和效率平衡的交流转直流和直流转直流转换器。然而，这并非总是一个简单任务。
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目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓（GaN）初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power IntegraTIons，包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关（ZVS）反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入
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碳化硅功率晶体的另一项设计挑战就是门极阈值电压的不稳定性（threshold voltage instability）。门极阈值电压的不稳定性，会影响碳化硅功率晶体的可靠度。如果碳化硅功率晶体的阈值电压往上，会造成功率晶体的通态电阻值及导通损耗增加；反之，如果碳化硅功率晶体的阈值电压往下，会造成功率晶体易产生误导通而烧毁。
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目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。
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在航空，舰船系统和电动汽车领域已经发现，[1] [2] [3]最好的解决方案之一是碳化硅（SiC）MOSFET，因为它具有高频HF和高功率。 -其转换器的密度。与基于硅Si的IGBT相比，SiC MOSFET可以提供更快的开关速度和更低的功耗。这个因素使其能够以更高的开关频率工作，该开关频率估计为几百千赫兹。最终将提高功率转换器的电荷密度和效率[4] [5]。
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