碳化硅功率晶体的另一项设计挑战就是门极阈值电压的不稳定性（threshold voltage instability）。门极阈值电压的不稳定性，会影响碳化硅功率晶体的可靠度。如果碳化硅功率晶体的阈值电压往上，会造成功率晶体的通态电阻值及导通损耗增加；反之，如果碳化硅功率晶体的阈值电压往下，会造成功率晶体易产生误导通而烧毁。
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目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。
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在航空，舰船系统和电动汽车领域已经发现，[1] [2] [3]最好的解决方案之一是碳化硅（SiC）MOSFET，因为它具有高频HF和高功率。 -其转换器的密度。与基于硅Si的IGBT相比，SiC MOSFET可以提供更快的开关速度和更低的功耗。这个因素使其能够以更高的开关频率工作，该开关频率估计为几百千赫兹。最终将提高功率转换器的电荷密度和效率[4] [5]。
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电动汽车的激增将功率半导体性能的边界推向了新的高度。传统上，硅功率器件已用于控制汽车中的各种功率电子系统，例如用于主逆变器电机，泵，HVAC压缩机，制动和转向系统。诸如碳化硅（SiC）之类的化合物半导体器件的最新发展使得能够提高车辆中大多数系统的效率。SiC器件的某些特性，例如低导通和开关损耗，零恢复体二极管以及较高的工作结温，使该技术非常适合以效率为关键的汽车应用。
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碳化硅（SiC）晶体管， 功率转换器， CoolSiC MOSFET技术
2021-09-18 13:59:47功率转换器中越来越多地使用碳化硅（SiC）晶体管，这对尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以设计快速开关的单极器件。因此，现在仅在低压环境（
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双向转换器正在越来越多地用于太阳能和电动汽车充电等领域，在这些应用中，能量转换、存储和恢复效率非常关键。本文讨论了碳化硅半导体在降低转换器损耗，以及再成本、重量和尺寸等方面的优势。
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双向功率转换器，电动汽车充电器，碳化硅开关，SiC MOSFET
2021-09-16 11:20:36双向功率转换器是可再生能源和电动汽车充电器中的关键部件。碳化硅开关能够实现先前技术无法达到的效率水平。
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目前，业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）和化学式真空镀膜（CVD）等，其中ALD属于CVD的一种，属于当下最先进的薄膜沉积技术。那么，哪一类沉积技术适用于第三代半导体呢？
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近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起，即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。
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