氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。
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瑞森半导体科技有限公司经过多年研发，推出碳化硅MOS和SBD系列产品，目前已得到市场和客户认可，广泛应用于高端服务器电源、太阳能逆变、UPS电源、电机驱动、储能、充电桩等领域。
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碳化硅(SiC)又称宽禁带半导体，相比元素半导体(比如硅)，禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、抗辐射能力强、频率高。可用于高温、高频、抗辐射及大功率器件。
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汽车电动化趋势正在不断加快。过去两年，受疫情和芯片短缺影响，全球汽车市场整体表现不佳，但新能源车却一枝独秀，延续这几年的强劲增长势头，2021年实现销量翻倍，就连原来对于纯电动汽车方向有些犹豫的德国与日本传统汽车大厂也纷纷推出自家纯电动产品，作为主力新品进行推广，电动汽车发展前景一片光明。
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随着电池和超级电容等高效蓄能器的大量使用，更好的电流控制成为一种趋势。今天为大家介绍的是一种双向DC-DC转换器，其双向性允许电流发生器同时具备充电和放电能力。双向控制器可以为汽车双电池系统提供出色的性能和便利性，并延长其使用寿命。而且，在降压和升压模式中采用相同的电路模块，大大降低了系统的复杂性和尺寸，甚至可以获得高达97%的能源效率，并且可以控制双向传递的最大电流。
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本文将重点介绍碳化硅技术在汽车领域的应用和实现。与传统的硅基器件相比，碳化硅 （SiC）组件具有多项优势（例如高效率和低损耗），使其成为多种电源解决方案的正确解决方案。
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UnitedSiC 利用业界最佳的导通电阻 x 面积 （RDS（on） x A），在一系列功率水平和封装选项中扩展了其第4代FET 产品组合, 提供一流的品质因数（FoM）。750V 碳化硅 FET 采用 TO-247-3L和 TO-247-4L 插入式封装, 导通电阻范围为 6mOhm 至 60mOhm, 采用低电感, 表面贴装 D2PAK-7L 封装, 可提供6.7mm 的高压爬电距离。SiC FET采用先进的晶圆减薄和银烧结芯片贴装技术, 提供卓越的热性能。
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SiC有助于变革性地优化UPS设计，满足大数据时代UPS小型化、高容量化、高效化的要求。安森美在SiC领域处于领先地位，是世界上少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商之一，为UPS提供多种电压等级的高能效、高性能SiC MOSFET、SiC二极管、全SiC模块和混合SiC模块，配合安森美针对SiC优化的门极驱动器、传感、隔离和保护IC等周边器件和应用支援，帮助设计人员在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间做出最佳的权衡取舍。
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碳化硅功率器件突破了硅功率器件的性能极限，能够应用在高温、高频、高压、大电流等恶劣环境中，同时提高系统效率，降低系统成本。然而恶劣的应用环境使得碳化硅功率器件的可靠性面临严峻的挑战。由于针对碳化硅器件材料不同特性的可靠性测试研究还未成熟，碳化硅功率器件的可靠性测试基本沿用硅功率器件的可靠性测试方法。
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