在新能源电动车发展趋势的推动下，对高功率充电的需求日益殷切，而支持高功率密度、高性能和高开关频率的氮化镓场效应晶体管（GaN FET），成为市场上热门的产品选择。另一方面，目前市面上已经有众多利用电池操作的工具与设备，为了提升电池的运作安全性、效率，并提升电池的寿命，必须采用高效的MOSFET来进行电池隔离。
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碳化硅已经是一种成熟的技术，并成为需要电力传输系统的一种非常常见的解决方案，特别是在储能应用中，如电动汽车充电和附加电池的太阳能系统。这些系统一般包含几个应用SiC技术的器件，如DC/DC升压转换器，双向逆变器（交流电和直流电互相转换），和灵活的电池充电电路。简而言之，碳化硅使系统效率提高了3%，功率密度提高了50%，并减少了无源元件的体积和成本。
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在新能源电动车发展趋势的推动下，对高功率充电的需求日益殷切，而支持高功率密度、高性能和高开关频率的氮化镓场效应晶体管（GaN FET），成为市场上热门的产品选择。另一方面，目前市面上已经有众多利用电池操作的工具与设备，为了提升电池的运作安全性、效率，并提升电池的寿命，必须采用高效的MOSFET来进行电池隔离。
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在功率器件半导体领域，越来越需要高频高功率耐高温的功率器件，随着时间发展，硅材料在功率器件领域已经达到了材料性能的极限，碳化硅凭借其材料的优越特性开始大放异彩，然而新材料带来的可靠性问题是急需解决的。其中AC BTI（Bias Temperature Instabilities）即交流高温偏置不稳定性是碳化硅新材料带来的一大问题。
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电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统上，充电功率是单向的，但近年来，双向充电越来越受到关注。本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC中的优势。
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氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。
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瑞森半导体科技有限公司经过多年研发，推出碳化硅MOS和SBD系列产品，目前已得到市场和客户认可，广泛应用于高端服务器电源、太阳能逆变、UPS电源、电机驱动、储能、充电桩等领域。
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碳化硅(SiC)又称宽禁带半导体，相比元素半导体(比如硅)，禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、抗辐射能力强、频率高。可用于高温、高频、抗辐射及大功率器件。
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汽车电动化趋势正在不断加快。过去两年，受疫情和芯片短缺影响，全球汽车市场整体表现不佳，但新能源车却一枝独秀，延续这几年的强劲增长势头，2021年实现销量翻倍，就连原来对于纯电动汽车方向有些犹豫的德国与日本传统汽车大厂也纷纷推出自家纯电动产品，作为主力新品进行推广，电动汽车发展前景一片光明。
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