快速充电技术无疑大幅改善了手机续航体验，但手机厂商在充电功率上的“军事竞赛”也带来对保护电路和安全措施的更高要求，只有确保电源安全，提升充电功率才有意义，而充电器主控芯片，是决定一款充电器是否安全易用的关键。
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结合适合栅极驱动器和偏执电源，GaN器件可以获得150V/ns的开关速度，极小的开关损耗和更小的高功率系统磁性尺寸。集成化的GaN解决方案可以解决很多器件级的问题，从而使用户可以专注于更广泛的系统级的考量。
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碳化硅FET已经在车载充电器（OBC）电路领域确立了自身地位，尤其是在电池工作电压超过500V的情况下。这些器件的低功率损耗使得穿孔封装和表面安装式封装都可以用于此应用。我们调查了这些封装选项的相对热性能，并证实了TO247-4L和D2PAK-7L选项可用于6.6 kW和22 kW充电器。
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对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言，碳化硅（SiC）MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而，由于高开关速度会导致高漏源电压（VDS）峰值和长振铃期，它们会产生电磁干扰，尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来优化电磁干扰和效率之间的平衡。这种方法已经采用1200V 40mOhm器件进行了双脉冲测试验证。
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几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管（LED）。一种类型是由砷化镓（GaAs）和磷砷化镓（GaAsP）组成。其他的则使用铟和磷。
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近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
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紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电 (QC) 适配器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。
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