UnitedSiC 利用业界最佳的导通电阻 x 面积 （RDS（on） x A），在一系列功率水平和封装选项中扩展了其第4代FET 产品组合, 提供一流的品质因数（FoM）。750V 碳化硅 FET 采用 TO-247-3L和 TO-247-4L 插入式封装, 导通电阻范围为 6mOhm 至 60mOhm, 采用低电感, 表面贴装 D2PAK-7L 封装, 可提供6.7mm 的高压爬电距离。SiC FET采用先进的晶圆减薄和银烧结芯片贴装技术, 提供卓越的热性能。
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SiC有助于变革性地优化UPS设计，满足大数据时代UPS小型化、高容量化、高效化的要求。安森美在SiC领域处于领先地位，是世界上少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商之一，为UPS提供多种电压等级的高能效、高性能SiC MOSFET、SiC二极管、全SiC模块和混合SiC模块，配合安森美针对SiC优化的门极驱动器、传感、隔离和保护IC等周边器件和应用支援，帮助设计人员在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间做出最佳的权衡取舍。
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碳化硅功率器件突破了硅功率器件的性能极限，能够应用在高温、高频、高压、大电流等恶劣环境中，同时提高系统效率，降低系统成本。然而恶劣的应用环境使得碳化硅功率器件的可靠性面临严峻的挑战。由于针对碳化硅器件材料不同特性的可靠性测试研究还未成熟，碳化硅功率器件的可靠性测试基本沿用硅功率器件的可靠性测试方法。
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在本系列文章的第一部分中，[1]我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求，概述了这种充电器开发过程的关键级，并了解到安森美(onsemi)的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在，在第二部分中，我们将更深入研究设计的要点，并介绍更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，探讨其优点和权衡，并了解系统的骨干，包括一个半桥SiC MOSFET模块。
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快速直流充电市场正在蓬勃发展。伴随着电动车（EV）采用的加速，对快速充电基础设施的需求也在增加。预测未来五年的年复合增长率 (CAGR) 为20%至30%。如果您是在电力电子领域工作的一名应用、产品或设计工程师，迟早会参与到这新的充电系统的设计中。
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几十年来，硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来，提供独特的优势和卓越的特性。例如，有了化合物半导体，我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。
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提高能效一直是电源制造商的一个长期目标。这是真正的“双赢”，因为这不仅降低运行成本，而且减少了以热的形式浪费能量，意味着需要更少的散热管理，从而减小了电源的尺寸和成本。其他好处包括需要更少的冷却处理以减少风扇的噪声。
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现在介绍该模型的几个元素，如下所示。首先，我们讨论关键通道区域。这里我们使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。只要有可能，我们就尽力不做重复工作。在本例中，我们尝试建模一个适合BSIM模型的MOSFET通道。该模型以物理为基础，通过亚阈值、弱反和强反准确地捕捉转换过程。此外，它具有很好的速度和收敛性，广泛适用于多个仿真平台。
>>详情氮化镓 (GaN) 是一种高性能化合物半导体。GaN 是一种 III-V 直接带隙化合物半导体，就像砷化镓 (GaAs) 一样。化合物半导体可在许多微波射频 (RF) 应用领域中提供速度和功率的出色组合解决方案。
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