包装 : 剪切带（CT） 可替代的包装
系列 : CoolMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 800V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.9A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 2.8 欧姆 @ 1.1A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.9V @ 120µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 290pF @ 100V
功率-最大值 : 42W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-4，DPak（3 引线 + 接片）
供应商器件封装 : TO-252-3
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
