包装 : 剪切带(CT) 可替代的包装
系列 : OptiMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 25V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 30A(Ta),100A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 2 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 110µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 66nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8290pF @ 15V
功率-最大值 : 104W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-PowerTDFN
供应商器件封装 : PG-TDSON-8(5.15x6.15)