包装 : 剪切带(CT) 可替代的包装
系列 : OptiMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 7A(Ta)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 20 毫欧 @ 8.8A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 6.5nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 840pF @ 15V
功率-最大值 : 1.56W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装 : PG-DSO-8