包装 : 带卷(TR)
系列 : SIPMOS®
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 1.7A(Ta)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 310 毫欧 @ 1.7A,5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : -
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 520pF @ 25V
功率-最大值 : 1.8W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装 : PG-SOT223-4