包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : SIPMOS®
FET类型 : MOSFET P 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 680mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.8 欧姆 @ 680mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2V @ 170µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 6.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 146pF @ 25V
功率-最大值 : 1.8W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 : PG-SOT223-4
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
