包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : OptiMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 35A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 9.6 毫欧 @ 30A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 15nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 1600pF @ 15V
功率-最大值 : 42W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装 : PG-TO263-2