包装 : 管件
系列 : OptiMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压(Vdss) : 100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 20A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 50 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 20µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 1090pF @ 50V
功率-最大值 : 44W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装 : PG-TO262-3