包装 : Digi-Reel® 可替代的包装
系列 : SIPMOS®
FET类型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 250V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 190mA(Ta)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 12 欧姆 @ 190mA,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 130µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 6.1nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 104pF @ 25V
功率-最大值 : 1W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-243AA
供应商器件封装 : PG-SOT89-4