包装 : 管件
系列 : OptiMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 50A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 6.6 毫欧 @ 50A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 40µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 25nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 2782pF @ 15V
功率-最大值 : 94W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商器件封装 : PG-TO220-3-1