包装 : 管件
系列 : OptiMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 80A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 5.2 毫欧 @ 55A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 110µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 89.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 3320pF @ 25V
功率-最大值 : 167W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装 : PG-TO262-3-1