包装 : 带卷（TR）
系列 : SIPMOS®
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 90mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 45 欧姆 @ 90mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.3V @ 94µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 5.8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 131pF @ 25V
功率-最大值 : 1W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-243AA
供应商器件封装 : PG-SOT89-4
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