运算密度跟不上因特网流量增加速度，数据中心分析之数据量的成长速度前所未有;要解决这个问题，需要更大的内存带宽，而这是3D芯片堆栈技术展现其承诺的一个领域。
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SiP系统级封装（SysteminPackage)，先进封装HDAP（HighDensityAdvancedPackage)，两者都是当今芯片封装技术的热点，受到整个半导体产业链的高度关注。那么，二者有什么异同点呢？
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SiP系统级封装（System in Package)，先进封装HDAP（High Density Advanced Package)，两者都是当今芯片封装技术的热点，受到整个半导体产业链的高度关注。那么，二者有什么异同点呢？
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MEMS技术是目前应用广泛的技术之一，对于MEMS，想必大家也有所了解。为增进大家对MEMS的认识程度，本文将基于两点介绍MEMS：1.MEMS代工厂的4大类型，2.高通MEMS封装技术解析。
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有些设计师有时会忽略设计出来的芯片是否能够顺利的被制造出来应用到产品中，他们往往更关注指标是否达到，先考虑设计再考虑测试，但随着电路复杂程度的提高，这种方法既费时又费力，并且往往造成制造过程中的一些不可预见的测试问题。
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随着ADC和DAC的性能规格、形状参数和新的传感器技术(Rx和Tx)的不断发展，RF数据转换系统正在发生快速变化。在这期间，一个系统级的设计问题一直存在，即如何平衡模拟和数字电路的设计，以实现最大的软件/系统灵活性（从传感器到数字处理单元的输入/输出）。
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对于高电压输入/输出应用，无电感型开关电容器转换器 (充电泵) 相比基于电感器的传统降压或升压拓扑可显著地改善效率和缩减解决方案尺寸。通过采用充电泵取代电感器，一个 “跨接电容器” 可用于存储能量和把能量从输入传递至输出。电容器的能量密度远高于电感器，因而采用充电泵可使功率密度提高 10 倍。但是，由于在启动、保护、栅极驱动和稳压方面面临挑战，所以充电泵传统上一直局限于低功率应用。
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LED（半导体发光二极管）封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。
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人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中，我们首先讨论传统封装的一些局限性，然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后，展示对使用了图腾柱（Totem-Pole）拓扑的3.7kW单相PFC进行封装改进后获得的改善效果。
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