从智能手机到汽车，消费者要求将更多功能封装到越来越小的产品中。为了帮助实现这一目标，TI 优化了其半导体器件（包括用于子系统控制和电源时序的负载开关）的封装技术。封装创新支持更高的功率密度，从而可以向每个印刷电路板上安装更多半导体器件和功能。
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Allegro® Package Designer Plus工具在最新的 SPB 17.4版本中迎来了布线技术中的新变化——广为人知的“过孔结构”这一概念因为其灵活性不断提高且适用于许多不同设计流程，现已改名为“结构”，方便、可重复使用的布线模块，可以使工程师快速地扇出最复杂的组件接口。而且在扇出之后，可以将结构保存到模块库中，为后续类似的设计节省更多时间。
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汽车行业发展创新突飞猛进，从底盘到动力总成，从信息娱乐系统到联网和自动化系统，汽车设计的方方面面都有着日新月异的进步。然而，为人诟病的电动汽车（EV）充电用时问题（特别是在旅途中充电）带来的巨大不便，阻碍了电动汽车的推广普及，因此，车载充电器（OBC）设计或许将成为备受关注的领域。
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从智能手机到汽车，消费者希望将更多功能集成到更小的产品中。为顺应这一趋势，TI已针对封装技术进行了优化，包括用于子系统控制和电源时序的负载开关。封装技术的创新可以提高功率密度，即在每个印刷电路板上设置更多的器件和功能。
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本应用笔记讨论了VMMK-3313及其在15至33 GHz应用中的晶圆级封装检测器的使用。VMMK-3313是一种宽带定向耦合器，具有集成的温度补偿检测器，设计用于在15至33 GHz的各个频带中工作，典型插入损耗为0.5 dB。检测器提供与RF功率输入成比例的DC输出，从而提供测量放大器功率输出的手段。
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SMB Flat封装SMB15F系列1500 W瞬态电压抑制二极管
意法半导体新推出的SMB15F系列1,500 W瞬态电压抑制二极管（采用SMB Flat封装）已经通过认证。与SMC封装相比，SMB Flat封装的体积减少了50%。除了空间方面的改进，价格更有优势，为企业节约了预算。此外，更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事实上，SMB15F系列的泄漏电流比竞争产品大约低五倍。因此，这些1500 W器件已经在5G设备和其他应用中进行了评估。
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氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化开关性能。
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