汽车行业发展创新突飞猛进，从底盘到动力总成，从信息娱乐系统到联网和自动化系统，汽车设计的方方面面都有着日新月异的进步。然而，为人诟病的电动汽车（EV）充电用时问题（特别是在旅途中充电）带来的巨大不便，阻碍了电动汽车的推广普及，因此，车载充电器（OBC）设计或许将成为备受关注的领域。
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从智能手机到汽车，消费者希望将更多功能集成到更小的产品中。为顺应这一趋势，TI已针对封装技术进行了优化，包括用于子系统控制和电源时序的负载开关。封装技术的创新可以提高功率密度，即在每个印刷电路板上设置更多的器件和功能。
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本应用笔记讨论了VMMK-3313及其在15至33 GHz应用中的晶圆级封装检测器的使用。VMMK-3313是一种宽带定向耦合器，具有集成的温度补偿检测器，设计用于在15至33 GHz的各个频带中工作，典型插入损耗为0.5 dB。检测器提供与RF功率输入成比例的DC输出，从而提供测量放大器功率输出的手段。
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SMB Flat封装SMB15F系列1500 W瞬态电压抑制二极管
意法半导体新推出的SMB15F系列1,500 W瞬态电压抑制二极管（采用SMB Flat封装）已经通过认证。与SMC封装相比，SMB Flat封装的体积减少了50%。除了空间方面的改进，价格更有优势，为企业节约了预算。此外，更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事实上，SMB15F系列的泄漏电流比竞争产品大约低五倍。因此，这些1500 W器件已经在5G设备和其他应用中进行了评估。
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氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化开关性能。
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英飞凌通过改善IGBT芯片的结构和工艺，大大降低了器件的开关损耗。下图展示了不同技术的分立50A IGBT的开关损耗的比较。图的底部显示了IGBT和二极管技术，以及它们进入市场的年份。图中的开关损耗是在一个开关单元中测量的，并使用具有相同额定电流的器件作为对照。
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电源设计者如今面临两个主要问题：消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热，并带来后续必须解决的干扰难题；这两者也会对电路的尺寸和/或效率产生不利影响。如果施加在线路上的负载不是纯电阻性的，输入电压和电流波形之间将产生相移，从而增加视在功率并降低传输效率。如果非线性负载使输入电流波形失真，则会引起电流谐波，从而进一步降低传输效率并将干扰引入市电电网。
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