功率半导体作为电力电子行业的驱动力之一,在过去几十年里硅(Si)基半导体器件以其不断优化的技术和成本优势主导了整个电力电子行业,但它也正在接近其理论极限,难以满足系统对高效率、高功率密度的需求。而当下碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体以其优异的电学和热学特性使得功率半导体器件的性能远远超过传统硅材料的限制。
>>详情电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加,并且在众多新技术中发挥着核心作用,包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。
>>详情松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件,两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC,如上期所介绍的,英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利;而松下在这一技术方向下也是申请了不少专利,其中就包括采用RC电路的负压关断方案。
>>详情在电动汽车牵引逆变器、DC/DC 转换器和车载充电器 (OBC) 等一些需求旺盛的关键应用领域,器件特定的导通电阻 ( R DS(on) × A,其中A是传导面积)是影响器件电容的关键品质因数 (FOM),从而影响硬开关 (HS) 和软开关 (SS) 拓扑中的效率。
>>详情去年,TechInsights通过一系列博客展示了电气特性的力量,对于揭示碳化硅器件规格书远远不能提供的碳化硅器件特性。
>>详情本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合,隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护,完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值,让工程师放心无忧采用氮化镓。
>>详情本文分析了目前不间断电源(UPS)在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍,并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案,最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。
>>详情本文分析了目前不间断电源(UPS)在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍,并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案,最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。
>>详情当前,全球主要国家和地区都已经宣布了“碳达峰”的时间表。在具体实现的过程中,轨道交通将是一个重要领域。由于用能方式近乎100%为电能,且带动大量基础设施建设,因此轨道交通的“碳达峰”虽然和工业的“碳达峰”路径有差异,但总体实现时间将较为接近。在中国,这个时间节点是2030年之前。
>>详情绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用,尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅(SiC)是引领这一趋势的核心技术,可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化,从而减少温室气体(GHG)排放。
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