在本系列第七篇文章中，介绍了晶圆级封装的基本流程。本篇文章将侧重介绍不同晶圆级封装方法所涉及的各项工艺。晶圆级封装可分为扇入型晶圆级芯片封装(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圆级芯片封装(Fan-Out WLCSP)、重新分配层(RDL)封装、倒片(Flip Chip)封装、及硅通孔(TSV)封装。此外，本文还将介绍应用于这些晶圆级封装的各项工艺，包括光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺和湿法(Wet)工艺。
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在本系列第六篇文章中，我们介绍了传统封装的组装流程。本文将是接下来的两篇文章中的第一集，重点介绍半导体封装的另一种主要方法——晶圆级封装(WLP)。本文将探讨晶圆级封装的五项基本工艺，包括：光刻(Photolithography)工艺、溅射(Sputtering)工艺、电镀(Electroplating)工艺、光刻胶去胶(PR Stripping)工艺和金属刻蚀(Metal Etching)工艺。
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随着电子设备越来越先进，集成电路封装尺寸也变得越来越小，但这不仅仅是为了提高引脚密度。较高的引脚密度对于具有许多互连的高级系统非常重要，但在更高级的网络器件中，还有一个重要的原因是要为这些系统中运行的互连器件设定带宽限制。224G 系统和 IP 正在从概念过渡到商业产品，这意味着封装设计需要满足这些系统的带宽要求。
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要想确保集成电路的可靠性，有必要了解封装的热特性。要将器件结温保持在允许的最大限值以下，集成电路必须能够通过封装有效散热。集成电路封装热仿真有助于预测结温和封装热阻，从而帮助优化热性能以满足特定要求。
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我们知道与大多数人成长过程中所乘坐的传统汽车相比，今天的汽车更接近于轮子上的电子产品——尽管我们曾经对其引擎盖下的内部工作和控制感到惊叹，但现代汽车已将其变为复杂的计算机。近年来，随着设计人员寻求减轻重量、提高可靠性、简化车辆组装、创造差异化功能以及实施先进的驾驶辅助和自动驾驶系统，我们所看到的持续不断的电气化继续延伸到整个车辆，更不用说传动系统发生了什么。
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电阻器有多种不同的封装样式和尺寸。目前常用的是矩形表面贴装 (SMD) 电阻器，但老式轴向电阻器仍然在通孔设计中广泛使用。本页提供有关 SMD、轴向和 MELF 封装尺寸的信息。它还为 SMD 元件提供了一些推荐的焊盘图案，用于将焊料连接到 PCB。
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在本系列第三篇文章中，我们了解到半导体封装方法主要分为两种：传统封装和晶圆级封装。接下来，本文将重点介绍这两种封装方法，以及两者在组装方法和功能方面的差异。在本篇文章中，将着重介绍传统封装方法。
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近年来，半导体封装变得越发复杂，更加强调设计的重要性。半导体封装设计工艺需要各类工程师和业内人士的共同参与，以共享材料信息、开展可行性测试、并优化封装特性。在本系列第四篇文章中，我们探讨了不同类型的半导体封装。本篇文章将详细阐述半导体封装设计工艺的各个阶段，并介绍确保封装能够发挥半导体高质量互连平台作用的不同分析方法。
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