使用的实验设计是一个多核心集群，有 256 个 32 位 RISC-V 内核，无 L2 高速缓存，和一个 MemPool 组。该集群有 200 万标准单元和 384 个内存宏。由于线长较短，简单地将设计随意一分为二，的确可以实现 3D-IC 设计的性能提高，但正如预期的那样，与 2D 基线（将整个芯片设计成一个裸片）相比，温度有所升高。
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继英飞凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200V IGBT7 P7芯片，并将其应用在PrimePACK™模块中，再次刷新了该封装的功率密度上限。
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为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。
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SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装，由此增加了自动装配的便利性，同时减少了元件尺寸，并达成出色的热特性，在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最小化。
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每隔一段时间便会偶尔出现全新的半导体开关技术；当这些技术进入市场时，便会产生巨大的影响。使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙材料的器件技术无疑已经做到了这一点。与传统硅基产品相比，这些宽带隙技术材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。
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骨声纹传感器，可广泛应用于TWS耳机、智能可穿戴、VR/AR、医疗等领域，具有独特的通话降噪、语音唤醒和骨声纹ID功能。然而，长期以来，骨声纹传感器技术一直被国外垄断，价格昂贵。到目前为止，只有苹果、华为和VIVO等的旗舰TWS产品使用此类传感器。市场迫切需要类似的国产替代产品。
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