为了满足应用的散热要求，设计人员需要比较不同半导体封装类型的热特性。在本博客中， Nexperia（安世半导体）讨论了其焊线封装和夹片粘合封装的散热通道，以便设计人员选择更合适的封装。
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SiC FET在共源共栅结构中结合硅基MOSFET和SiC JFET，带来最新宽带隙半导体技术的性能优势，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET现可采用表面贴装TOLL封装，由此增加了自动装配的便利性，同时减少了元件尺寸，并达成出色的热特性，在功率转换应用中实现了功率密度最大化和系统成本最小化。
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每隔一段时间便会偶尔出现全新的半导体开关技术；当这些技术进入市场时，便会产生巨大的影响。使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙材料的器件技术无疑已经做到了这一点。与传统硅基产品相比，这些宽带隙技术材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。
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骨声纹传感器，可广泛应用于TWS耳机、智能可穿戴、VR/AR、医疗等领域，具有独特的通话降噪、语音唤醒和骨声纹ID功能。然而，长期以来，骨声纹传感器技术一直被国外垄断，价格昂贵。到目前为止，只有苹果、华为和VIVO等的旗舰TWS产品使用此类传感器。市场迫切需要类似的国产替代产品。
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增强互连封装技术 1200 V SiC MOSFET单管设计
近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。
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IC（集成电路）封装的热性能可以通过几个不同的参数来指定，例如 θ JA、θ JB、θ JC、Ψ JT和 Ψ JB。更深入地了解这些参数可以帮助我们更准确地估计我们产品的热性能。有了这些知识，我们就可以避免对我们的设计施加不必要的限制，或者预测从热学角度来看边缘设计的潜在缺陷。
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