MACOM，高性能模拟射频，NPA1006，氮化镓的宽带功率放大器
2015-05-20 15:19:48MACOM高性能模拟射频，微波和光半导体产品的领先供应商，今天宣布了新NPA1006，氮化镓（GaN）的宽带功率放大器20-优化1000 MHz运行。
>>详情飞思卡尔半导体，蜂窝基站，第一氮化镓（GaN）射频功率晶体管
2015-05-20 14:43:28飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）日前宣布推出用于蜂窝基站的第一氮化镓（GaN）射频功率晶体管。新A2G22S160-01S提供的30瓦和40瓦的放大器为无线基础设施应用的卓越性能，并表示第一的是什么计划成为Airfast家庭氮化镓晶体管的广泛产品组合的手机市场。
>>详情弘大在韩国已经开发出了常关单片氮化镓（GaN）上硅开关装置，包括一钳位电路和常通型金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管（MOSHFET）相宇Han等，IEEE电子器件快报，网上28日公布2015年四月。
>>详情飞思卡尔半导体[NYSE：FSL]，射频（RF）功率晶体管的全球领导者，今天宣布推出新的先进的塑料封装两种超低宽带射频功率氮化镓（GaN）晶体管。有
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ST推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
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东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品：TRS20J120C，它主要适用于400V的高压工业应用系统。通过采用宽带隙半导体SiC材料，我们成功将SBD耐受电压提高到1200V，而如果使用硅材料，最高耐受电压只有200V
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ST推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。
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英飞凌，第五代，1200V thinQ！，碳化硅肖特基二极管
2014-06-16 10:28:01英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。
>>详情Microsemi推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)衬底氮化镓(gallium nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)技术的射频(radio frequency，RF)功率晶体管系列。
>>详情TriQuint半导体公司今天发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器，为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
>>详情GT Advanced Technologies，碳化硅炉新产品线
2013-07-09 09:37:36今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。
>>详情TriQuint半导体今天发布了15款新型氮化镓（ GaN ）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和耐用性的优势。
>>详情Microsemi宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide，SiC)标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。
>>详情TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。
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