CISSOID，三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
2020-03-05 10:36:08CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。
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全球领先的电路保护、功率控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.（纳斯达克：LFUS）今日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件，以便他们更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。
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Maxim 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器，帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%，优于竞争产品；功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源，典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。
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Nexperia，功率器件GAN063－650WSA，氮化镓功率器件
2019-11-26 15:14:38分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia 推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175℃。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。
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SCALE－iFlex门极驱动器系统，碳化硅(SiC) MOSFET功率模块
2019-06-27 11:41:07Power Integrations今日推出SCALE-iFlex™门极驱动器系统，新产品适合耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。
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Littelfuse,Inc.今日宣布推出两款二极管，进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。 相比传统的硅基器件，两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。 这些产品将在加州安海姆举办的应用电力电子会议(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位号：253。
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碳化硅（SiC）肖特基二极管系列， LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA
2019-02-21 11:21:25Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。它们可为电力电子系统设计师提供各种性能优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175℃ 最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理应用的理想选择。
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1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000， 肖特基二极管
2018-10-23 13:58:55Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
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Littelfuse公司，今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管，扩充其碳化硅电源半导体产品组合。相比硅二极管，GEN2碳化硅肖特基二极管可显著降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性。本次产品发布于纽伦堡举行的PCIM 2018欧洲展会期间举办。
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Littelfuse， 碳化硅MOSFET， LSIC1MO120E0120，LSIC1MO120E0160
2018-03-16 10:04:40全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。这些产品在应用电力电子会议（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。
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Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。
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Littelfuse， 碳化硅MOSFET， 电力电子应用， 超高速切换
2017-10-17 16:53:48Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻（80mΩ），是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。该
>>详情QORVO， 碳化硅基氮化镓放大器， 双晶体管模块， QPD2731
2017-08-10 16:00:14实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器－－－QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓（GaN－on－SiC）解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低运营成本。
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英飞凌， 全碳化硅模块， PCIM， CoolSiC系列产品
2017-07-03 11:29:15效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。
>>详情TI GaN功率设计， 200 V交流伺服驱动器和机器人， 德州仪器， 三相氮化镓（GaN）逆变器， LMG3410 600 V
2017-06-28 16:46:16德州仪器（TI）近日推出一项创新的三相氮化镓（GaN）逆变器参考设计，可帮助工程师构建200 V，2 kW交流伺服电机驱动器和下一代工业机器人，具有快速的电流回路控制，更高的效率，更精确的速度和转矩控制。
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