英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了采用转模封装的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。
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领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合半导体）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。
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Microchip 700 SiC SBD 1200V SiC SBD
新产品通过汽车电子委员会（AEC）-Q101认证，旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性
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碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二极管的一部分。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。
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全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。
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Power IntegrationsLYTSwitch－6 LED驱动器
采用升压功率因数校正(PFC)前级及隔离反激拓扑后级的90W可调光LED镇流器设计
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Microchip的AgileSwitch®数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包解决方案可加快开发人员从设计到投产的步伐
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新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。
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什么是碳化硅肖特基二极管产品系列?它有什么作用?Littelfuse作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。
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氮化镓技术InnoSwitch3－MX隔离式开关电源IC PowiGaN器件
Power Integrations今日宣布其InnoSwitch™3-MX隔离式开关电源IC产品系列扩大阵容，再添三款全新PowiGaN™器件。作为已采用Power Integrations的InnoMux™控制器IC芯片组的一部分，新的开关电源IC现可支持显示器和家电电源应用，可提供高达75 W的连续输出功率，并且无需无散热片。
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Power IntegrationsInnoSwitch3系列开关电源IC
Power Integrations今日发布新款InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC，产品阵容进一步扩大。新款INN3x78C器件集成了尺寸较小的“8号”750 V PowiGaN晶体管，可设计出外形轻巧的高效率电源，在无需散热片的情况下能够提供27 W至55 W的输出功率。
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CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。
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全球领先的电路保护、功率控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.（纳斯达克：LFUS）今日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件，以便他们更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。
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