3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管(SBD)扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围
>>详情埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT),功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。
>>详情东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。
>>详情服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管[1],推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
>>详情电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益,提高性能和成本效率,可使产品最多提前6个月上市
>>详情纳微半导体,智能GaNFast,氮化镓,功率芯片,GaNSense
2021-11-19 13:57:53增加GaNSense技术,全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护,为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性
>>详情纳微半导体,智能GaNFast,氮化镓功率芯片,GaNSense
2021-11-08 11:02:12增加GaNSense技术,全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护,为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性
>>详情新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求,同时 最大限度地提高效率
>>详情致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)宣布对其碳化硅(SiC)二极管产品组合进行扩充,新增1700 V级产品 (观看视频)。
>>详情致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)今天宣布对其碳化硅(SiC)二极管产品组合进行扩充,新增1700 V级产品。
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