长期以来，游戏笔记本电脑的电源适配器一直“又大又笨重”。好消息是，随着氮化镓技术的普及，市面上正在迎来越来越多更加紧凑轻便的替代产品。
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飞宏USB PD适配器Transphorm氮化镓TP65H300G4LSG
Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。
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EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。
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SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。
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领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。
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近日，Power Integrations在美国国际电力电子应用展览会上推出了全新的适用于中功率应用的高效解决方案。该方案由两级架构组合，其中一级为PFC功率因数校正，另外一级用于DC/DC变换，以满足市场不断增长的更大功率快充电源应用需求。
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HiperPFS-5 IC能够为超快速充电适配器、消费电子产品、计算机和家电电源提供紧凑、高效的功率因数校正电路
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埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。
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