推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
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VisIC Technologies Ltd公司，汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。
>>详情英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了采用转模封装的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。
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领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合半导体）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。
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Microchip ， 700 SiC SBD ，1200V SiC SBD
2020-10-29 12:09:34新产品通过汽车电子委员会（AEC）-Q101认证，旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性
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碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二极管的一部分。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。
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全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。
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Power Integrations，LYTSwitch－6 ，LED驱动器
2020-09-16 12:13:09采用升压功率因数校正(PFC)前级及隔离反激拓扑后级的90W可调光LED镇流器设计
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Microchip的AgileSwitch®数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包解决方案可加快开发人员从设计到投产的步伐
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新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。
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什么是碳化硅肖特基二极管产品系列?它有什么作用?Littelfuse作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。
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氮化镓技术，InnoSwitch3－MX隔离式开关电源IC ，PowiGaN器件
2020-04-22 16:43:37Power Integrations今日宣布其InnoSwitch™3-MX隔离式开关电源IC产品系列扩大阵容，再添三款全新PowiGaN™器件。作为已采用Power Integrations的InnoMux™控制器IC芯片组的一部分，新的开关电源IC现可支持显示器和家电电源应用，可提供高达75 W的连续输出功率，并且无需无散热片。
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Power Integrations，InnoSwitch3系列，开关电源IC
2020-03-11 15:33:57Power Integrations今日发布新款InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC，产品阵容进一步扩大。新款INN3x78C器件集成了尺寸较小的“8号”750 V PowiGaN晶体管，可设计出外形轻巧的高效率电源，在无需散热片的情况下能够提供27 W至55 W的输出功率。
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