Power Integrations，LYTSwitch－6 ，LED驱动器
2020-09-16 12:13:09采用升压功率因数校正(PFC)前级及隔离反激拓扑后级的90W可调光LED镇流器设计
>>详情
Microchip的AgileSwitch®数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包解决方案可加快开发人员从设计到投产的步伐
>>详情
新一代200 V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC / DC转换器的理想功率器件。
>>详情
什么是碳化硅肖特基二极管产品系列?它有什么作用?Littelfuse作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品，该产品家族最初于2017年5月发布。
>>详情
氮化镓技术，InnoSwitch3－MX隔离式开关电源IC ，PowiGaN器件
2020-04-22 16:43:37Power Integrations今日宣布其InnoSwitch™3-MX隔离式开关电源IC产品系列扩大阵容，再添三款全新PowiGaN™器件。作为已采用Power Integrations的InnoMux™控制器IC芯片组的一部分，新的开关电源IC现可支持显示器和家电电源应用，可提供高达75 W的连续输出功率，并且无需无散热片。
>>详情
Power Integrations，InnoSwitch3系列，开关电源IC
2020-03-11 15:33:57Power Integrations今日发布新款InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC，产品阵容进一步扩大。新款INN3x78C器件集成了尺寸较小的“8号”750 V PowiGaN晶体管，可设计出外形轻巧的高效率电源，在无需散热片的情况下能够提供27 W至55 W的输出功率。
>>详情
CISSOID，三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
2020-03-05 10:36:08CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案，即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。
>>详情
全球领先的电路保护、功率控制和传感技术制造商Littelfuse, Inc.（纳斯达克：LFUS）今日宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件，以便他们更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。
>>详情
Maxim 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器，帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%，优于竞争产品；功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源，典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。
>>详情
Nexperia，功率器件GAN063－650WSA，氮化镓功率器件
2019-11-26 15:14:38分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia 推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175℃。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。
>>详情
SCALE－iFlex门极驱动器系统，碳化硅(SiC) MOSFET功率模块
2019-06-27 11:41:07Power Integrations今日推出SCALE-iFlex™门极驱动器系统，新产品适合耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。
>>详情
Littelfuse,Inc.今日宣布推出两款二极管，进一步扩大了其二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基二极管系列。 相比传统的硅基器件，两个系列均为电力电子系统设计人员提供多种优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175°C最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理的应用的理想选择。 这些产品将在加州安海姆举办的应用电力电子会议(APEC 2019)上亮相。Littelfuse展位号：253。
>>详情
碳化硅（SiC）肖特基二极管系列， LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA
2019-02-21 11:21:25Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。它们可为电力电子系统设计师提供各种性能优势，包括可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌保护能力以及175℃ 最高运行结温，因此是需要增强效率、可靠性与热管理应用的理想选择。
>>详情
1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000， 肖特基二极管
2018-10-23 13:58:55Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
>>详情
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
