东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）开发了用于碳化硅（SiC）功率模块的封装技术，能够使产品的可靠性提升一倍[1]，同时减少20%的封装尺寸[2]。
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基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
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科锐碳化硅基氮化镓WolfspeedCMPA901A020SCMPA9396025SCMPA801B030
全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，推出多款碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件：WolfspeedCMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。
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新日本无线研制出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管NJDCD010A065AA3PS，并开始提供样片。
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STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
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Microchip的加速碳化硅（SiC）开发工具包包括快速优化Microchip SP6LI 低电感SiC模块和系统系列性能所需的硬件和软件元素。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
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推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
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VisIC Technologies Ltd公司，汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。
>>详情英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了采用转模封装的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。
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领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合半导体）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。
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Microchip 700 SiC SBD 1200V SiC SBD
新产品通过汽车电子委员会（AEC）-Q101认证，旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性
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碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二极管的一部分。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。
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