东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品：TRS20J120C，它主要适用于400V的高压工业应用系统。通过采用宽带隙半导体SiC材料，我们成功将SBD耐受电压提高到1200V，而如果使用硅材料，最高耐受电压只有200V
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ST推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。
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英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。
>>详情Microsemi推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)衬底氮化镓(gallium nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)技术的射频(radio frequency，RF)功率晶体管系列。
>>详情TriQuint半导体公司今天发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器，为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
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GT Advanced Technologies碳化硅炉新产品线
今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅（SiC）生产炉。 SiClone100采用升华生长技术，能生产出高品质的半导体SiC晶体块，可最终制成最大直径为100毫米的芯片。
>>详情TriQuint半导体今天发布了15款新型氮化镓（ GaN ）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和耐用性的优势。
>>详情Microsemi宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide，SiC)标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。
>>详情TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。
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为努力实现更高的功率密度并满足严格的效率法规要求以及系统正常运行时间要求，工业和功率电子设计人员在进行设计时面临着不断降低功率损耗和提高可靠性的难题。
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科锐公司将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列 — 50A碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700V Z-FET™碳化硅 MOSFET器件，还包括1200V Z-FET™碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系统。
>>详情全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功率半导体产品系列。
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