东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。
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服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管[1]，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
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电动汽车、商业运输、可再生能源和存储系统设计人员可从碳化硅协议栈解决方案中获益，提高性能和成本效率，可使产品最多提前6个月上市
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新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时 最大限度地提高效率
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致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)宣布对其碳化硅（SiC）二极管产品组合进行扩充，新增1700 V级产品 (观看视频)。
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致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)今天宣布对其碳化硅（SiC）二极管产品组合进行扩充，新增1700 V级产品。
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1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围
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Integra今天推出业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。
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