推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。
>>详情全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品，所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装。
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EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的1.5 kW 48 V/12 V DC/DC演示板，于轻度混合动力汽车和电池备用装置实现更高效、更小、更快的双向转换器
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）开发了用于碳化硅（SiC）功率模块的封装技术，能够使产品的可靠性提升一倍[1]，同时减少20%的封装尺寸[2]。
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基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
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科锐，碳化硅基氮化镓，WolfspeedCMPA901A020S，CMPA9396025S，CMPA801B030
2021-04-20 10:40:30全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，推出多款碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件：WolfspeedCMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。
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新日本无线研制出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管NJDCD010A065AA3PS，并开始提供样片。
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STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
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Microchip的加速碳化硅（SiC）开发工具包包括快速优化Microchip SP6LI 低电感SiC模块和系统系列性能所需的硬件和软件元素。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。
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推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
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VisIC Technologies Ltd公司，汽车高压应用氮化镓（GaN）器件的全球领导者，自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。
>>详情英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了采用转模封装的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。
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领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合半导体）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。
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