基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
>>详情科锐,碳化硅基氮化镓,WolfspeedCMPA901A020S,CMPA9396025S,CMPA801B030
2021-04-20 10:40:30全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,推出多款碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)器件:WolfspeedCMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。
>>详情新日本无线研制出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管NJDCD010A065AA3PS,并开始提供样片。
>>详情STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。
>>详情Microchip的加速碳化硅(SiC)开发工具包包括快速优化Microchip SP6LI 低电感SiC模块和系统系列性能所需的硬件和软件元素。
>>详情东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---“MG800FXF2YMS3”,该产品将于2021年5月投入量产。
>>详情推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
>>详情VisIC Technologies Ltd公司,汽车高压应用氮化镓(GaN)器件的全球领导者,自豪地宣布其新的低导通电阻产品发布。
>>详情英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了采用转模封装的1200 V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。
>>详情领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC(联合半导体)公司,现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。
>>详情Microchip , 700 SiC SBD ,1200V SiC SBD
2020-10-29 12:09:34新产品通过汽车电子委员会(AEC)-Q101认证,旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性
>>详情碳化硅(SiC)功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,将推出四种新型结势垒肖特基(JBS)二极管,以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流性能,是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基(MPS)二极管的一部分。
>>详情东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。
>>详情全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。该创新系列GaN FET外形尺寸小,可实现高功率密度及高效率功率转换,能够以较低的成本开发出更高效系统,同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求,实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。
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