研华无线公司(该公司制造的卫星,射频设备和微波系统)已推出了50W X波段氮化镓(GaN)基全固态供电模块上变频器(SSPB/BUC)战术军事应用。
>>详情MACOM,宽带氮化镓上硅,线性运算高达100W功率晶体管,NPT2022
2015-05-25 15:49:55MACOM推出NPT2022,用于DC-2GHz的操作进行了优化的宽带晶体管和使用专有氮化镓上硅(氮化镓上硅)工艺制造。
>>详情Qorvo公司推出高功率氮化镓(GaN)单片微波集成电路(MMIC)功率放大器塑料封装,旨在改善在商业和军事S波段雷达应用的尺寸,重量和功率性能。
>>详情MACOM,高性能模拟射频,NPA1006,氮化镓的宽带功率放大器
2015-05-20 15:19:48MACOM高性能模拟射频,微波和光半导体产品的领先供应商,今天宣布了新NPA1006,氮化镓(GaN)的宽带功率放大器20-优化1000 MHz运行。
>>详情飞思卡尔半导体,蜂窝基站,第一氮化镓(GaN)射频功率晶体管
2015-05-20 14:43:28飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布推出用于蜂窝基站的第一氮化镓(GaN)射频功率晶体管。新A2G22S160-01S提供的30瓦和40瓦的放大器为无线基础设施应用的卓越性能,并表示第一的是什么计划成为Airfast家庭氮化镓晶体管的广泛产品组合的手机市场。
>>详情弘大在韩国已经开发出了常关单片氮化镓(GaN)上硅开关装置,包括一钳位电路和常通型金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管(MOSHFET)相宇Han等,IEEE电子器件快报,网上28日公布2015年四月。
>>详情飞思卡尔半导体[NYSE:FSL],射频(RF)功率晶体管的全球领导者,今天宣布推出新的先进的塑料封装两种超低宽带射频功率氮化镓(GaN)晶体管。有
>>详情ST推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势,包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
>>详情东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管(SBD)产品:TRS20J120C,它主要适用于400V的高压工业应用系统。通过采用宽带隙半导体SiC材料,我们成功将SBD耐受电压提高到1200V,而如果使用硅材料,最高耐受电压只有200V
>>详情ST推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管,以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。
>>详情英飞凌,第五代,1200V thinQ!,碳化硅肖特基二极管
2014-06-16 10:28:01英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。
>>详情Microsemi推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)衬底氮化镓(gallium nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)技术的射频(radio frequency,RF)功率晶体管系列。
>>详情TriQuint半导体公司今天发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器,为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
>>详情GT Advanced Technologies,碳化硅炉新产品线
2013-07-09 09:37:36今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生产炉。 SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可最终制成最大直径为100毫米的芯片。
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