意法半导体2A-40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。
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ADI氮化镓(GaN)功率放大器HMC7885HMC7748
ADI宣布推出两款高性能氮化镓(GaN)功率放大器(PA)模块,二者皆拥有同类产品最高的功率密度,可最大程度地缩减子系统的尺寸和重量。
>>详情Navitas半导体今天宣布重大技术突破,推出业界首个集成半桥氮化镓(GaN)功率IC。半桥电路是电力电子行业的重要基础,可以广泛应用到智能手机和笔记本充电器,电视,太阳能电池板,数据中心和电动汽车。
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Qorvo氮化镓芯片晶体管GaNTGF2933-36TGF2941-42通信/雷达和国防RF系统应用
Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。
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ST的享誉业界的碳化硅(SiC)功率元器件,让高科技创业公司Zaptec开发出世界上最小、最智能、最安全的电动汽车充电站ZapCharger。Zaptec是变压器产业革命性的创新性初创公司。
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Qorvo50V氮化镓晶体管QPD1009QPD1010QPD1008(L)QPD1015(L)
Qorvo推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
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LittelfuseLFUSCD系列碳化硅肖特基二极管超低正向电压降肖特基势垒整流器
Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商,日前宣布推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅(SiC )肖特基二极管。
>>详情TI推出一款600V氮化镓(GaN)70mù场效应晶体管(FET)功率级工程样片,从而使TI成为首家,也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。
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CISSOIDThales碳化硅智能功率模块More-Electrical Aircraft
CISSOID公司宣布,向 功率模块(IPM)原型。该模块在 CThales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能lean Sky Joint Undertaking 项目的支持下开发而成,通过减小重量和尺寸,该模块有助于提高功率转换器密度,从而支持多电飞机(More-Electrical Aircraft)中的发电系统和机电致动器。
>>详情ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流,致力将在使分立半导体、IC的开发与制造过程中积累起来的技术得到进一步发展的功率元器件产品的阵容壮大。其中,在实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体(SiC半导体)产品领域,正在实施产品扩充战略,并遥遥领先于业界。
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Diamond Microwave超小型脉冲氮化镓X波段固态功率放大器
英国利兹的钻石微波设备有限公司(专门从事高性能微波功率放大器)参展的展位250已经宣布了十倍它增加了一个1kW的X波段模型其范围氮化镓(GaN)的功率输出能力为基础的脉冲固态功率放大器(SSPA)。
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Qorvo混合功率放大器系列氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)点对点无线电链路
Qorvo日前宣布推出氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)混合功率放大器系列,用以扩展范围并满足点对点无线电链路市场数据吞吐速率爆炸式提高的需求。
>>详情总部位于英国的普莱西已经推出了一系列的LED细丝,与该公司的Magic氮化镓(氮化镓上硅上I / C制造)上的LED芯片制造。长丝被设计为涌动灯丝灯泡市场,其中,这些替换灯有好得多的性能,但仍然保持白炽灯的物理外观。
>>详情氮化镓系统公司在渥太华,安大略省,加拿大 - 氮化镓的无晶圆厂开发氮化镓(GaN)基功率半导体的开关电源转换和控制应用 - 是展示一个新的除了氮化镓大功率晶体管的范围首次在中国。
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