Cree公司 - 与经销商的合作伙伴MEV Elektronik公司服务有限公司展示 - 展示碳化硅二极管，MOSFET，模块和裸芯片（包括引入900V的SiC MOSFET的一个新的家庭），其投资组合，并展示了其碳化硅技术可以实现更小，成本更低，更高效的动力系统，能够在更高的频率和操作开关在较高的温度。
>>详情TRAK，集成氮化镓SSPA，MFC147块上变频器，无人驾驶航空飞行器，军用航空Ku波段卫星通信
2015-05-27 13:08:02TRAK Microwave已经推出了型号MFC147块上变频器（BUC），它提供13.75-14.50GHz覆盖民用和军用航空Ku波段卫星通信应用，包括机上娱乐（IFE）系统和无人驾驶航空飞行器（UAV）的通信。
>>详情GaN Systems，氮化镓功率开关半导体领域的领先开发商，今天证实了世界上最小的650V，15A氮化镓晶体管。只有5.0×6.5毫米的GS66504B的足迹 - 家庭650V器件的跨越7A到200A之一 比同类器件小50％。
>>详情研华无线公司（该公司制造的卫星，射频设备和微波系统）已推出了50W X波段氮化镓（GaN）基全固态供电模块上变频器（SSPB／BUC）战术军事应用。
>>详情MACOM，宽带氮化镓上硅，线性运算高达100W功率晶体管，NPT2022
2015-05-25 15:49:55MACOM推出NPT2022，用于DC-2GHz的操作进行了优化的宽带晶体管和使用专有氮化镓上硅（氮化镓上硅）工艺制造。
>>详情Qorvo公司推出高功率氮化镓（GaN）单片微波集成电路（MMIC）功率放大器塑料封装，旨在改善在商业和军事S波段雷达应用的尺寸，重量和功率性能。
>>详情MACOM，高性能模拟射频，NPA1006，氮化镓的宽带功率放大器
2015-05-20 15:19:48MACOM高性能模拟射频，微波和光半导体产品的领先供应商，今天宣布了新NPA1006，氮化镓（GaN）的宽带功率放大器20-优化1000 MHz运行。
>>详情飞思卡尔半导体，蜂窝基站，第一氮化镓（GaN）射频功率晶体管
2015-05-20 14:43:28飞思卡尔半导体（NYSE：FSL）日前宣布推出用于蜂窝基站的第一氮化镓（GaN）射频功率晶体管。新A2G22S160-01S提供的30瓦和40瓦的放大器为无线基础设施应用的卓越性能，并表示第一的是什么计划成为Airfast家庭氮化镓晶体管的广泛产品组合的手机市场。
>>详情弘大在韩国已经开发出了常关单片氮化镓（GaN）上硅开关装置，包括一钳位电路和常通型金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管（MOSHFET）相宇Han等，IEEE电子器件快报，网上28日公布2015年四月。
>>详情飞思卡尔半导体[NYSE：FSL]，射频（RF）功率晶体管的全球领导者，今天宣布推出新的先进的塑料封装两种超低宽带射频功率氮化镓（GaN）晶体管。有
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ST推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
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东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品：TRS20J120C，它主要适用于400V的高压工业应用系统。通过采用宽带隙半导体SiC材料，我们成功将SBD耐受电压提高到1200V，而如果使用硅材料，最高耐受电压只有200V
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ST推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。
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英飞凌，第五代，1200V thinQ！，碳化硅肖特基二极管
2014-06-16 10:28:01英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容。
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