Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。
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Diodes 公司 (Diodes)推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
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贸泽电子即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。
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Power Integrations，900V氮化镓反激式开关IC
2023-03-21 10:27:03Power Integrations今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，因而无需散热片，并可简化空间受限型应用的电源设计。
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Diodes 公司今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
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安森美今天宣布推出三款基于碳化硅 (以下简称”SiC”) 的功率模块，采用压铸模技术，用于所有类型电动汽车 (以下简称“xEV”) 的车载充电和高压 (以下简称“HV”) DCDC转换。APM32系列是把SiC技术和压铸模封装相结合的行业首创产品，可提高能效并缩短xEV的充电时间，专用于11 kW到22 kW的大功率车载充电器 (以下简称“OBC”)。
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长期以来，游戏笔记本电脑的电源适配器一直“又大又笨重”。好消息是，随着氮化镓技术的普及，市面上正在迎来越来越多更加紧凑轻便的替代产品。
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飞宏，USB PD适配器，Transphorm，氮化镓，TP65H300G4LSG
2022-08-02 14:03:54Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。
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EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN® FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。
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SuperGaN®技术的差异化优势电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。
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领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。
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近日，Power Integrations在美国国际电力电子应用展览会上推出了全新的适用于中功率应用的高效解决方案。该方案由两级架构组合，其中一级为PFC功率因数校正，另外一级用于DC/DC变换，以满足市场不断增长的更大功率快充电源应用需求。
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HiperPFS-5 IC能够为超快速充电适配器、消费电子产品、计算机和家电电源提供紧凑、高效的功率因数校正电路
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