英飞凌, HybridPACK Drive G2 Fusion, 电动汽车, 电源模块
2024-10-21 09:41:05英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion,为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅(Si)和碳化硅(SiC)技术的即插即用电源模块。这一先进解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡,为逆变器的优化提供了更多选择。
>>详情全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合(包含适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8)的进一步增强。该机台采用独立双腔设计,兼容6英寸和8英寸晶圆,可实现增加产量的同时,降低成本。
>>详情Littelfuse, SiC MOSFET, 瞬态抑制二极管, 碳化硅
2024-10-17 10:12:52Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC) MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高,因此越来越受到欢迎,对稳健栅极保护的需求也越来越大。
>>详情全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc.(NYSE: WOLF)于近日宣布推出最新 2300 V 无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计,可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升,将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款 2300 V 无基板碳化硅模块针对 1500 V 直流母线应用开发,并采用了 Wolfspeed 前沿领先的 200 mm 碳化硅晶圆。
>>详情纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅(G3F)MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品,能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
>>详情GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
>>详情此模块产品的芯片完全国产化,产品功率密度高、性能稳定、损耗更低,可根据不同应用场景进行相应配置。此产品被誉为“龙行1200-100-3”,共SA1001K2ES3AN和SA1001K2ES3AH两个型号,主要应用于高频切换、DC/DC变流器、太阳能等领域。
>>详情英飞凌, CoolSiC MOSFET 2000 V, 碳化硅分立器件
2024-03-13 14:43:29英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。
>>详情意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度,提高转换能效,目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。
>>详情意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,非常适合各种应用。在确保安全控制方面,STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案,在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离,确保无缝集成和优质性能。
>>详情意法半导体,200W和500W器件,氮化镓(GaN)电桥芯片
2023-12-15 13:57:59意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。
>>详情德州仪器 (TI)今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系统效率,同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器,能解决常见的散热设计问题,既能让适配器保持凉爽,又能在更小的尺寸中提供更高功率。
>>详情Transphorm, Inc.近日宣布,推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
>>详情Power Integrations今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能,并且提供丰富的开关选项,包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
>>详情意法半导体,ACEPACK1 DMT-32系列,车规碳化硅(SiC)功率模块
2023-10-30 14:20:29意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。
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