随着功率转换系统的不断进步，尤其是采用如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这类能承受更高电压并拥有宽带隙特性的半导体材料后，系统设计人员面临着在电磁干扰（EMI）频率管理上的新难题。在此背景下，EMI滤波器在确保系统在高电压环境下安全稳定运行方面扮演了至关重要的角色。以下将阐述EMI滤波器如何在这一关键环节发挥重要作用。
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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
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车载充电器 (OBC) 解决了电动汽车 (EV) 的一个重要问题。它们将来自电网的交流电转换为适合电池充电的直流电，从而实现电动汽车充电。随着每年上市的电动汽车设计、架构和尺寸越来越丰富，车载充电器的实施也变得越来越复杂。
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电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇，将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美(onsemi)可提供的高新能产品选型。
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如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
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功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了化器件的导通电阻，必须增加外延层中的掺杂剂浓度（即降低电阻率）或减少层厚度，但这些也会导致击穿电压下降。这意味着芯片设计人员必须很好地权衡导通电阻和击穿电压。
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随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。
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氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而，由于工作电压和长期可靠性的制约，这些器件的潜力并未得到充分发挥，主要在消费电子领域内竞争价格。近期，随着高压氮化镓器件的陆续推出，我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。
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碳化硅可在极其严苛的环境中提供前所未有的高效率、更高耐用性和卓越性能，从而彻底变革热泵和空调行业。随着全球气温不断升高，人们需要制定更严格的能效规范。使用碳化硅解决方案，可只需对现有设计进行最小限度的改造，或者也可进行全新的系统设计，即可满足这些规范的要求。本文将介绍碳化硅分立解决方案和功率模块在住宅和商用热泵及空调设计中的技术考虑因素和实际应用。
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随着能源需求的增长，越来越严格的效率标准或最低能效标准 (MEPS) 顺势而生，旨在减少工业电机驱动器对日益变暖的地球所造成的环境影响。迄今为止，全球范围内已有 50 多个国家/地区（包括欧盟、中国和美国等重要经济体）纷纷制定了有关工业低压电机驱动器效率的规范。
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