众所周知，硅（Si）材料及其基础上的技术方向曾经改变了世界。硅材料从沙子中提炼，构筑了远比沙土城堡更精密复杂的产品。如今，碳化硅（SiC）材料作为一种衍生技术进入了市场——相比硅材料，它可以实现更高功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。
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随着物联网，尤其是智能照明和智能家居的发展，高效高性能的小体积电源越来越被市场所需求。如何能在电源体积做得更小的情况下，依然能够保证最好的性能？安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。
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随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。
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Qorvo， SiC FET， 碳化硅， UJ4SC075005L8S
2023-11-30 15:12:19宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。这种安排产生了一个常关器件，带有一个简单的栅极驱动器和一个由“品质因数”组成的奖杯柜，击败了所有竞争技术。
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5G愿景的真正实现，还需要更多创新。网络基站和用户设备（例如：手机） 变得越来越纤薄和小巧，能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备，许多射频应用所使用的印刷电路板（PCB）也在不断减小尺寸。因此，射频应用供应商必须开发新的封装技术，尽量减小射频组件的占位面积。再进一步，部分供应商开始开发系统级封装办法（SiP），以减少射频组件的数量，尽管这种办法将会增加封装成本。
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器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。
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本文将从二氧化碳减排、未来动力总成的技术驱动因素等角度对商用车进行讨论，并探讨了基于碳化硅（SiC）的现代半导体器件，这些器件可以实现外形更小、效率更高和功能更强大的转换器。在商用车领域，与乘用车相比，由于驱动架构不同，这个领域并没有一个通用的解决方案适用于所有情况。
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随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。
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氮化镓功率半导体器件毫无疑问是目前电力电子领域中非常火热的一个话题。当今占主导有两种晶体管类型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化镓晶体管。当人们面临选择时，有时会难以言明地倾向于使用增强型晶体管。而事实上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多样性、可制造性以及实际用途方面都是本质上更优越的平台。这之中的原因在于Normally-off D-mode能够充分利用氮化镓材料本身优势。
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