如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再生能源。可再生能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。
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每隔一段时间便会偶尔出现全新的半导体开关技术；当这些技术进入市场时，便会产生巨大的影响。使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙材料的器件技术无疑已经做到了这一点。与传统硅基产品相比，这些宽带隙技术材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。
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碳化硅(SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料，特别适用于具有挑战性的应用。然而，大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用。
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在未来十年及以后，规模经济将继续降低碳化硅器件的成本，主要驱动因素是器件制造向8英寸碳化硅晶圆的过渡。有许多方法可以通过优化单个芯片和周围封装来减少电动汽车中的碳化硅量，我们将在这里深入研究。
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VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压（9 V至23 V）中分别提供50 W、65 W和高达100 W的功率。我们还推出了EVLVIPGAN100PD，这是我们首款用于USB-PD应用的VIPERGAN100评估板。VIPerGaN器件使用650V氮化镓（GaN）晶体管，这意味着在自适应突发模式开启时，待机模式下的功耗低于30 mW。QFN 5 mmx6 mm封装也使其在业内同等功率输出中拥有较小的封装尺寸。
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最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。
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如今，在远大的清洁能源目标和政府政策的驱动下，太阳能、电动汽车 (EV) 基础设施和储能领域不断加快采用可再生能源。可再生能源的逐渐普及也为在工业、商业和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。
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在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
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