在高功率应用中，碳化硅（SiC）的许多方面都优于硅，包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是，与硅快速恢复二极管相比，纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia（安世半导体）如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起，以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。
>>详情
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）可以根据功率水平和功能采取多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统上，充电功率是单向的，但近年来，双向充电越来越受到关注。本文将重点关注双向OBC，并讨论碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC中的优势。
>>详情氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。
>>详情
碳化硅（SiC）的性能潜力是毋庸置疑的，但设计者必须掌握一个关键的挑战：确定哪种设计方法能够在其应用中取得最大的成功。
>>详情
面对社会和监管要求，电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用，电源转换效率和功率密度是设计成功的关键。
>>详情
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。这篇文章将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程并展示安森美(onsemi)在这方面的创新技术与成果。
>>详情
随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强，直流快速充电市场在蓬勃发展，市场对快速充电基础设施的需求也在增加。预测未来五年的年复合增长率 (CAGR) 为20%至30%。如果您是在电力电子领域工作的一名应用、产品或设计工程师，迟早会参与到这新的充电系统的设计中。
>>详情
在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？
>>详情
提到动态特性，大家的第一反应一定是开关特性，这确实是功率器件的传统核心动态特性。由于其是受到器件自身参数影响的，故器件研发人员可以根据开关波形评估器件的特性，并有针对性地进行优化。另外，电源工程师还可以基于测试结果对驱动电路和功率电路设计进行评估和优化。
>>详情
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
