随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能 (AI)，服务器的需求也在呈指数级增长。鉴于这些趋势，设计人员面临着一项重大挑战：如何在持续提升设计效率的同时，在相同的尺寸内实现更高的功率。
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如今，碳化硅 (SiC) 器件在电动汽车 (EV) 和太阳能光伏 (PV) 应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过，SiC 的材料优势还可能用在其他应用中，其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展，同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点。最后，本文还将讨论为什么 SiC 固态断路器日益受到人们青睐。
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碳化硅（SiC）功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来，汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅（SiC）应用的增长， 也使设计工程师更加关注该技术的优势，并拓宽其应用领域。
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众所周知，硅（Si）材料及其基础上的技术方向曾经改变了世界。硅材料从沙子中提炼，构筑了远比沙土城堡更精密复杂的产品。如今，碳化硅（SiC）材料作为一种衍生技术进入了市场——相比硅材料，它可以实现更高功率等级的功率转换、更快的开关速度、传热效率上也优于硅材料。
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随着物联网，尤其是智能照明和智能家居的发展，高效高性能的小体积电源越来越被市场所需求。如何能在电源体积做得更小的情况下，依然能够保证最好的性能？安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：适配于氮化镓（GaN）开关器件，工作于高频开关频率场合下的小体积PFC & LLC方案。
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随着新能源汽车和电动飞机概念的兴起，在可预见的未来里，电能都将会是人类社会发展的主要能源。然而，随着电气化在各行各业的渗透率不断提升，每年全社会对电能的消耗量都是一个天文数字。比如在中国，根据国家能源局发布的数据，2022年全社会用电量86,372亿千瓦时，同比增长3.6%；其中，高速发展的新能源汽车在整车制造方面，用电量大幅增长71.1%。
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Qorvo， SiC FET， 碳化硅， UJ4SC075005L8S
2023-11-30 15:12:19宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。这种安排产生了一个常关器件，带有一个简单的栅极驱动器和一个由“品质因数”组成的奖杯柜，击败了所有竞争技术。
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5G愿景的真正实现，还需要更多创新。网络基站和用户设备（例如：手机） 变得越来越纤薄和小巧，能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备，许多射频应用所使用的印刷电路板（PCB）也在不断减小尺寸。因此，射频应用供应商必须开发新的封装技术，尽量减小射频组件的占位面积。再进一步，部分供应商开始开发系统级封装办法（SiP），以减少射频组件的数量，尽管这种办法将会增加封装成本。
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