意法半导体为其获奖产品STM32WLE5 *无线系统芯片(SoC)的产品组合新增一款QFN48封装，将该产品的诸多集成功能、能效性和多调制的灵活性赋能到多种工业无线应用上。
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5G 的扩展让“万物互联”成为大趋势。作为接入人们运动、睡眠、健康乃至亲子生活的贴身设备，智能可穿戴设备正在逐渐成为市场新宠。根据 Counterpoint Research 的调查结果，今年第一季度，全球智能手表销量较去年同期增长了 25% 。在智能手机市场日渐平静的大背景下，可穿戴设备的亮眼表现相当引人注意。
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在昨天举行的第十四届国际物联网展期间，芯讯通推出了最新的超小尺寸5G模组SIM8202G-M2，为万物互联注入新动力，可被广泛应用于虚拟现实、增强现实、CPE等需求终端，打造车联网、工业物联网、智慧医疗、4K/8K超高清视频等应用场景，助力万物智联。
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扬杰科技推出的Low VF产品，电压在45V~200V区间， 电流在20A~30A区间，芯片参数稳定，一致性优异，同时采用环保物料，符合RoHS标准，主要用于适配器，LED电源、家电等行业。
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艾普凌科有限公司（ABLIC Inc.，总裁：石合信正，总部：东京都港区；以下简称“ABLIC”）发布了五款车载用霍尔效应IC——S-57GD、S-57GS、S-57GN、S-57TZ和S-57RB(*1)，其均采用0.5mm的全球最薄(*2)封装。这一整套产品可让客户从中选择最适合自身需求的产品。
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TDK集团针对世界上第一款可充电的固态SMD电池CeraCharge™，尺寸仅为EIA 1812 (4.4 x 3.0 x 1.1 mm3) 提供了新小型封装套件。该封装套件(定购号码：B73180A0101M199)包括10个气泡包装的CeraCharge电池，均封装在真空密封塑料袋中。
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Nordic Semiconductor宣布推出蓝牙5.2芯片级系统 (SoC) nRF52805，这是其广受欢迎且经过验证的nRF52系列的第七款产品。nRF52805是一款超低功耗的低功耗蓝牙 (Bluetooth® Low Energy /Bluetooth LE)SoC器件，采用尺寸仅为2.48 x 2.46mm的晶圆级芯片规模封装(WLCSP)供货。
>>详情Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率，从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本，功率和空间节省。
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Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。
>>详情半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。
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安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。
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AllegroSOIC16W封装电流传感器IC ACS724和ACS725
Allegro宣布推出名为“MC”的全新定制SOIC16W封装，这标志着业界电流传感技术在需要高隔离度和低功耗的功率密集型应用中的一个飞跃。这种全新封装具有265µΩ的超低串联电阻，比现有SOIC16W解决方案低2.5倍以上，同时提供Allegros最高认证的5kV隔离等级。
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VishayRGBC－IR传感器VEML3328和VEML3328SL
日前，Vishay 宣布推出新型RGBC-IR传感器扩充其光电产品组合---新型VEML3328和VEML3328SL，用以满足各种应用需求，如数码相机自动白平衡和色偏校正，自动LCD背光调节，以及主动监控物联网（IoT）和智能照明的LED色彩输出。
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TI今日推出了首款采用新型专有集成变压器技术开发的集成电路（IC）：一种具有业界更低电磁干扰（EMI）的500mW高效隔离式DC/DC转换器UCC12050。其2.65mm的高度能够帮助设计师减小解决方案的体积（与离散解决方案相比减少了80%，与电源模块相比减少了60%），效率是同类竞争器件的两倍。
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UnitedSiCSiC FET器件DFN 8x8表面贴装封装
UnitedSiC宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
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