CypressS71KL512SC0HyperFlashHyperRAM多芯片封装解决方案
近日，推出Cypress Semiconductor的S71KL512SC0 HyperFlash和HyperRAM多芯片封装 (MCP) 产品。此存储器子系统解决方案采用小尺寸、低引脚数封装，结合了用于快速引导和即时接通的高速NOR闪存与用于扩展高速暂存器的自刷新DRAM，是空间受限、成本优化的嵌入式设计的理想之选。
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英飞凌科技股份公司通过SOT－223封装进一步壮大新近推出的CoolMOS P7产品阵容。全新器件是作为DPAK简易替换器件而开发的，完全兼容典型的DPAK封装。全新CoolMOS P7平台与SOT－223封装相结合，使其非常适于智能手机充电器、笔记本电脑适配器、电视电源和照明等诸多应用。
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超宽带 3GHz 至 20GHz 混频器 亚德诺半导体LTC5552
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双平衡混频器LTC5552，该器件在 3GHz 至 20GHz 范围内提供同类最佳的带宽匹配能力。该混频器可用作上变频器或下变频器。由于其支持 DC 的差分 IF 端口使得 LO 在频率上接近于 RF，因此 LTC5552 特别适用于上变频应用。
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英飞凌科技股份公司将进军封装硅麦克风市场，以满足市场对高性能、低噪声MEMS麦克风的需求。该模拟和数字麦克风基于英飞凌的双背板MEMS技术，70 dB信噪比（SNR）使其脱颖而出。同时该麦克风在135 dB声压级（SPL）时失真度非常低——10%。这款麦克风采用4 mm x 3 mm x 1.2 mm MEMS封装，非常适于高品质录音和远场语音捕获应用。
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件，扩充其表面贴装的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间，可替换SOD123W封装的肖特基整流器，反向电压从45V到150V，其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。
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Diodes SDT萧特基二极管 TO220AB 及 ITO220AB 封装
Diodes 公司所推出的 SDT 萧特基二极管系列，使用先进的深槽工艺，提供出色效能，且成本比平面型萧特基二极管相近甚至更低。初始的 29 个装置系列产品，采用热效率封装，提供阻流、自由转轮、返驰与其他二极管功能，适合广泛的产品应用，例如 AC-DC 充电器/转接器、DC-DC 上/下转换及 AC LED 照明。
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莱姆集成原边导体SO8＆SO16封装隔离式电流传感GO系列传感器
莱姆推出GO系列传感器，拓宽了小体积集成电路型传感器范围，用于AC和DC电流的隔离测量，带宽可达300 KHz。GO 系列产品虽然尺寸小，却能实现完全隔离，并且集成原边导体，额定测量电流分别为4 A、6 A、8 A、10 A、12 A、16 A、20 A或30 A，测量范围可达到额定电流的2.5倍。GO系列产品能短时（1 ms）承受的峰值高达200 A的过载电流。
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扩展频谱调制功能 同步双输出降压型稳压器LTC7124 亚德诺半导体 N 沟道 MOSFET 开关
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步双输出降压型稳压器LTC7124，该器件采用恒定频率、峰值电流模式架构。LTC7124 集成了可选扩展频谱频率调制功能，以降低辐射和传导型 EMI 噪声。该器件采用占板面积为 3mm x 5mm 的紧凑型封装，每通道可提供高达 3.5A 的连续输出电流，或产生高达 7A 的两相单输出。开关频率在 500kHz 至 4MHz 范围内是用户可
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英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型应用包括变频器、光伏逆变器和不间断电源（UPS）。其他应用包括电池充电和储能系统。
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单管IGBTTRENCHSTOP Advanced Isolation封装英飞凌
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出全新封装技术TRENCHSTOP™ Advanced Isolation。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取代全塑封封装（FullPAK）及标准和高性能绝缘箔。该新封装适用于诸多应用，如空调功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）和变频器等。
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QFN 封装同步双输出 6A降压型稳压器LTC3636和LTC3636－1亚德诺半导体
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步双输出降压型稳压器LTC3636和LTC3636-1，这两款器件采用独特的恒定频率/受控接通时间、电流模式控制方案，具可锁相开关频率。此外，其创新性设计架构降低了传导和辐射发射。这些器件每个通道可提供高达 6A 的连续输出电流，或产生高达 12A 的两相单输出。这两款器件采用紧凑的 4mm x 5mm QFN 封装，适合低至
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意法半导体推出了采用先进的PowerFLAT 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。
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三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT模块”，作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。
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