江波龙宣布，基于“Office is Factory”商业模式，推出业内首款集成封装mSSD（全称“Micro SSD”）。目前，产品已完成开发、测试，并申请了国内外相关技术专利，处于量产爬坡阶段。
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球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、更小的系统尺寸，以及更高的可靠性。
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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。
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全球光通信领导者之一 Coherent 高意（纽交所代码：COHR）近日推出其最新款高功率 400 毫瓦连续波（CW）激光器，旨在满足下一代共封装光学（CPO）与硅光应用对严苛性能的需求。
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索尼昨日（9 月 29 日）发布博文，宣布面向工业应用场景，推出新型全局快门图像传感器 IMX927，具备 105MP×100fps 性能。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款全新的用于交流线路的车规级瓷片安规电容器---SMDY1汽车级系列，这是业内首款采用贴片型封装的Y1电容。Vishay BCcomponents SMDY1汽车级系列器件可在Y1绝缘等级下提供高达500 VAC和1500 VDC的额定工作电压，同时容值高达4.7 nF，适用于恶劣高湿热环境下的电路EMI / RFI抑制和滤波。
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全球领先的智能传感和发射器解决方案供应商艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）今日宣布，从沉浸式家庭影院到车载抬头显示，再到工业机器视觉，投影正迎来广泛应用浪潮。
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在高通骁龙峰会 2025 现场获得了刚刚发布的骁龙 X2 Elite (Extreme) 和 8 Elite Gen 5 处理器的实物图片：
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Littelfuse公司（纳斯达克股票代码：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，今日宣布推出DFNAK3系列大功率TVS二极管。
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TDK 株式会社（东京证券交易所代码：6762）宣布扩展了其低电阻软端子MLCC的CN系列。该产品在3225尺寸封装（3.2 x 2.5 x 2.5 mm – 长 x 宽 x 高）下实现了业界领先*的22 nF电容，并在1000 V电压下具有C0G特性。该系列产品已于2025年9月开始量产。CN系列电容器是业界首款通过优化树脂电极结构，使端子电阻与常规产品相当的产品。
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至信微电子最新推出的ED3封装2000V/600A高压SiC MOSFET功率模块，采用第三代SiC MOSFET芯片技术，集成了SiC二极管，在高温环境下表现出卓越的导通电阻RDS(on)与二极管正向压降(VSD)。
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虹扬推出ESD保护式组件二极管，新发布CSP0603封装产品，型号H08C31V0BU & H08C35V0BU可以满足Hand held portable applications、Computers interfaces protection、Serial and parallel port protection、Microprocessors protection等相关应用需求。
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随着手机SoC制程逐步升级至3nm等先进节点，其核心GPIO电源域电压持续降低（如1.2V），以实现更高性能和更低功耗。然而，许多外围设备（如传感器、存储器接口等）仍普遍采用1.8V逻辑电平。这种核心与外围间的电压域差异，导致信号无法直接可靠通信。
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