ROHM一直在为消费电子和工业设备领域提供采用中等耐压新工艺的低导通电阻MOSFET。此次通过将这种新工艺应用于对可靠性要求高的车载产品，又开发出具有低导通电阻优势的10款车载Nch MOSFET新产品。不仅有近年来需求高涨的2.0mm×2.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸的小型封装产品，还有传统的TO-252封装产品，未来将会继续扩大产品阵容并持续供应。
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德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。六款新器件中有三款（TPSM82866A、TPSM82866C 和 TPSM82816）是超小型 6A 电源模块，可以提供每平方毫米 1A 的电流输出能力。
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Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用10 mm x 10 mm 4040封装的第二代新型汽车级器件---IHLE-4040DDEW-5A，扩充IHLE®系列超薄、大电流集成式电场屏蔽电感器。与上一代解决方案相比，Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改进的屏蔽设计，极性标识提高EMI性能的一致性，不需要单独板级法拉第（Faraday）屏蔽，从而降低成本，节省电路板空间。
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英飞凌Thin－TOLL封装CoolSiC MOSFET 650 V G2
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。
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无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。
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ZP621XD 系列压力传感器是一款集成式模拟输出压力传感器，具有小型化、高精度、灵敏度高、可靠性高等特点。此款压力传感器将压力信号转换成模拟输出信号，电压输出跟供电电压成比例关系。通过线性校准和温度补偿后，能将在绝压 10KPa 至 400KPa 压力范围内的压力信号转换为可自定义输出范围（0-5V）的模拟输出信号。
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Nexperia SiC MOSFET分立器件 D2PAK－7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先进的超亮InGaN芯片技术，典型发光强度分别达到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封装解决方案提高四倍。
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英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。
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Diodes 公司 DSN1406 2A 封装 肖特基整流器
Diodes 公司 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。
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