氮化镓英诺赛科INN100EA050DAD INN100EA070DAD
全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可实现太阳能微型逆变器、储能系统 (ESS)（直流输入）和最大功率点跟踪 (MPPT) 优化器的最高效率。
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在智能化浪潮席卷全球的当下，电子设备正经历着功能集成度与能源效率的双重革命。随着移动及可穿戴设备加速向微型化、轻量化演进，叠加AI技术对算力与能效的严苛要求，市场对电子元器件的空间占用率与功耗控制能力提出了近乎极限的挑战, 微型化，高性能电子元器件的需求也与日俱增。
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针对轨道交通在强震动，高低温，强干扰的应用场景下对电源长期稳定的工作要求，金升阳从客户角度出发，推出满足此类严苛场景的集成EMC电路壳架式封装铁路电源产品URF1DxxM-60WR3系列。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。
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Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣部推出Pxxx0S3G-A SIDACtor®保护晶闸管系列，该产品是业内首款采用DO-214AB（SMC）紧凑型封装的2 kA晶闸管。
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Nexperia今日宣布推出采用CFP2-HP封装的全新产品组合，包含16款优化低VF平面肖特基二极管。新产品组合包含八款工业级产品（例如PMEG6010EXD）和八款通过AEC-Q101认证的产品（例如PMEG4010EXD-Q）。
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TDK株式会社（TSE：6762）宣布扩展其CGA系列汽车用积层陶瓷电容器（MLCC），推出封装尺寸为3225（长 x 宽 x 高：3.2 x 2.5 x 2.5mm）的100V/10µF规格产品。产品具有X7R特性（二类电介质）。这是目前业界具有该温度特性的、同尺寸（3225）、同额定电压（100V）下电容值最高的产品*。该系列产品将于2025年4月开始量产。
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Nexperia今日宣布推出一系列具有高信号完整性的双向静电放电(ESD)保护二极管，采用创新的倒装芯片平面栅格阵列(FC-LGA)封装。这项新型封装技术经过了专门优化，旨在保护和过滤现代汽车中日益普及的高速数据通信链路。像车载摄像头视频链路、千兆级汽车以太网网络及信息娱乐接口（如USBx、HDMIx和PCIex）等应用均可受到保护，免受可能造成损害的ESD事件的影响。
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Nexperia顶部散热封装技术碳化硅1200 V SiC MOSFET
Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。
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NVIDIA 今天推出了 NVIDIA Spectrum-X™ 和 NVIDIA Quantum-X 硅光网络交换机，使 AI 工厂能够跨区域连接数百万 GPU ，同时大幅降低能耗和运营成本。 NVIDIA 在大规模平台上实现了电子电路与光通信的融合。
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目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。
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