东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。
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Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣部推出Pxxx0S3G-A SIDACtor®保护晶闸管系列，该产品是业内首款采用DO-214AB（SMC）紧凑型封装的2 kA晶闸管。
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Nexperia今日宣布推出采用CFP2-HP封装的全新产品组合，包含16款优化低VF平面肖特基二极管。新产品组合包含八款工业级产品（例如PMEG6010EXD）和八款通过AEC-Q101认证的产品（例如PMEG4010EXD-Q）。
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TDK株式会社（TSE：6762）宣布扩展其CGA系列汽车用积层陶瓷电容器（MLCC），推出封装尺寸为3225（长 x 宽 x 高：3.2 x 2.5 x 2.5mm）的100V/10µF规格产品。产品具有X7R特性（二类电介质）。这是目前业界具有该温度特性的、同尺寸（3225）、同额定电压（100V）下电容值最高的产品*。该系列产品将于2025年4月开始量产。
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Nexperia今日宣布推出一系列具有高信号完整性的双向静电放电(ESD)保护二极管，采用创新的倒装芯片平面栅格阵列(FC-LGA)封装。这项新型封装技术经过了专门优化，旨在保护和过滤现代汽车中日益普及的高速数据通信链路。像车载摄像头视频链路、千兆级汽车以太网网络及信息娱乐接口（如USBx、HDMIx和PCIex）等应用均可受到保护，免受可能造成损害的ESD事件的影响。
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Nexperia顶部散热封装技术碳化硅1200 V SiC MOSFET
Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。
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NVIDIA 今天推出了 NVIDIA Spectrum-X™ 和 NVIDIA Quantum-X 硅光网络交换机，使 AI 工厂能够跨区域连接数百万 GPU ，同时大幅降低能耗和运营成本。 NVIDIA 在大规模平台上实现了电子电路与光通信的融合。
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目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列，这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。这些Vishay半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率，在同类二极管中，它们在电容电荷（Qc）和正向压降之间实现了出色的平衡。
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英飞凌科技股份公司推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。
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电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。
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作为全球领先的全自动、高速、高精度、灵活多功能的固晶设备制造商,MRSI Mycronic自豪地宣布，正式推出MRSI-LEAP超高速1微米芯片键合机。这款创新设备专为满足光模块的超高量产制造需求而精心设计，能够灵活应对环氧树脂工艺的多种封装形式，包括但不限于芯片封装在载体上（CoC）、芯片封装在基座上（CoS）以及芯片封装在电路板上（CoB）。
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