英飞凌Thin－TOLL封装CoolSiC MOSFET 650 V G2
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。
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无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。
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ZP621XD 系列压力传感器是一款集成式模拟输出压力传感器，具有小型化、高精度、灵敏度高、可靠性高等特点。此款压力传感器将压力信号转换成模拟输出信号，电压输出跟供电电压成比例关系。通过线性校准和温度补偿后，能将在绝压 10KPa 至 400KPa 压力范围内的压力信号转换为可自定义输出范围（0-5V）的模拟输出信号。
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Nexperia SiC MOSFET分立器件 D2PAK－7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小型MiniLED封装的新型蓝色和纯绿色表面贴装LED---VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08。Vishay Semiconductors VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08外形尺寸为2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先进的超亮InGaN芯片技术，典型发光强度分别达到440 mcd和2300 mcd，比上一代PLCC-2封装解决方案提高四倍。
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英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。
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Diodes 公司 DSN1406 2A 封装 肖特基整流器
Diodes 公司 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。
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近年来，在消费电子和工业设备应用领域，随着产品功能的增加，对节省电路板空间的要求越来越严格，小型DC-DC转换器IC的使用率也与日俱增。另外，降低待机功耗已成为亟需解决的一大课题，这就要求DC-DC转换器IC在低功率（轻负载）时实现更高效率。为了满足这些市场需求，ROHM开发出比现有SOP-J8封装产品更小、效率更高的产品。
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新型 RPZ 系列非隔离降压转换器以及新型 RPL 系列版本，因兼具尺寸、性价比和效率等优势而成为行业新标杆。
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全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
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