英飞凌科技股份公司推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具有同等的散热能力，但电气性能更高，能够在车载充电器和DC-DC转换器中实现高效的能源利用。
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VisIC Technologies电源封装 V22TG D3GAN
VisIC Technologies Ltd 是一家先进氮化镓 (GaN) 电力电子解决方案的全球领先企业，怀着激动的心情推出备受期待的电源封装 V22TG D3GAN。这种革命性的电源封装采用先进的鸥翼形引线顶侧冷却隔离封装，为汽车行业的性能、可靠性和多功能性设定了新标准。
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Transphorm, Inc.近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
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拓尔微TMI8123是一颗高耐压，高集成度的全能型直流有刷马达驱动，峰值电流高达10A，有着更强的电流能力，适用于按摩椅、扫地机、吸尘器等大电流智能市场应用。内部集成电流感应和反馈功能，0.2ohm @1A超低内阻，功耗更小，满足大部分电机驱动的所有要求。
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意法半导体ACEPACK1 DMT－32系列车规碳化硅(SiC)功率模块
意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
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Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
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英飞凌科技股份公司针对这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性能与卓越的开关性能。
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英飞凌 分立式650V IGBT7 H7新品 EC7共封装二极管
英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。
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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品，均采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装。新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
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Littelfuse公司是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出新型SZSMF4L 400 W瞬态抑制二极管系列。 汽车电子产品的数量和复杂程度正在不断增加，而所有这些组件都需要针对高电压、高能瞬态的保护。
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英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。
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英飞凌 1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET 碳化硅（SiC）MOSFET
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。
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