美蓓亚三美株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（ABLIC Inc.，总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出了车载用降压型DC-DC控制器「S-19954/5系列」。
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Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。
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数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。
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英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。
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英飞凌科技股份公司推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具有同等的散热能力，但电气性能更高，能够在车载充电器和DC-DC转换器中实现高效的能源利用。
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VisIC Technologies电源封装 V22TG D3GAN
VisIC Technologies Ltd 是一家先进氮化镓 (GaN) 电力电子解决方案的全球领先企业，怀着激动的心情推出备受期待的电源封装 V22TG D3GAN。这种革命性的电源封装采用先进的鸥翼形引线顶侧冷却隔离封装，为汽车行业的性能、可靠性和多功能性设定了新标准。
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Transphorm, Inc.近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
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拓尔微TMI8123是一颗高耐压，高集成度的全能型直流有刷马达驱动，峰值电流高达10A，有着更强的电流能力，适用于按摩椅、扫地机、吸尘器等大电流智能市场应用。内部集成电流感应和反馈功能，0.2ohm @1A超低内阻，功耗更小，满足大部分电机驱动的所有要求。
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意法半导体ACEPACK1 DMT－32系列车规碳化硅(SiC)功率模块
意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
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Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
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英飞凌科技股份公司针对这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性能与卓越的开关性能。
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英飞凌 分立式650V IGBT7 H7新品 EC7共封装二极管
英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。
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