至信微电子最新推出的ED3封装2000V/600A高压SiC MOSFET功率模块，采用第三代SiC MOSFET芯片技术，集成了SiC二极管，在高温环境下表现出卓越的导通电阻RDS(on)与二极管正向压降(VSD)。
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虹扬推出ESD保护式组件二极管，新发布CSP0603封装产品，型号H08C31V0BU & H08C35V0BU可以满足Hand held portable applications、Computers interfaces protection、Serial and parallel port protection、Microprocessors protection等相关应用需求。
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随着手机SoC制程逐步升级至3nm等先进节点，其核心GPIO电源域电压持续降低（如1.2V），以实现更高性能和更低功耗。然而，许多外围设备（如传感器、存储器接口等）仍普遍采用1.8V逻辑电平。这种核心与外围间的电压域差异，导致信号无法直接可靠通信。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出一款采用小型SO12L-T封装的车载光继电器[1]“TLX9161T”，该产品输出耐压可达1500V（最小值），可满足高压车载电池应用所需。新产品于今日开始支持批量出货。
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Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出Pxxx0S3H SIDACtor®保护晶闸管系列，该系列是业内首款采用DO-214AB（SMC）封装的2kA浪涌保护器件。这一紧凑型解决方案可在防止严重瞬态事件的同时实现产品小型化，成为下一代电源和能源设计的理想选择。
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。
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Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，宣布扩展其符合 AEC-Q200 标准车规级 CRF 系列电流检测电阻，推出采用 SMD 2010 紧凑型封装新款产品。
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随着音频领域技术的持续发展以及终端用户对音频效果的追求不断升级，为给用户带来极致的音频体验，艾为推出了全新一代Digital Smart K智能数字音频功放——AW88271CSR。该产品具备三大核心优势：超低功耗、超小封装，以及全面支持各类硅负极电池。
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圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
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TDK株式会社将其C系列商用积层陶瓷贴片电容器（MLCC）在100V电压下的电容扩展至1µF， 封装尺寸为1608（1.6x0.8x0.8 mm - 长x宽x高），具备X7R特性。 这是目前在该封装尺寸和温度特性下，在100V等级产品中业界最高电容值*。该系列产品于2025年6月开始量产。
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Bourns 全新扩展 POWrFuse™ 系列，具备更高电压额定值、更宽电流范围与多样封装选项
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